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铜布线工艺 在集成电路布线中,铝被广泛使用,其布线工艺较为简单。1997年9月,IBM公司率先推出一种称为CMOS7S的新技术,该技术在集成电路设计中采用铜代替铝作为外部导电材料,使电路布线的尺寸更加微小,芯片处理逻辑运算的能力更强。 相似文献
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从上述讨论可以看出,世界上许多的研究组直到眼下都在系统地研究高k的电荷捕获和由捕获所产生的特性,特别是在高电应力和高温条件下的测定,并且利用这些捕获的空间和能级分布来进行解释。这大大地加深了对于高k介电体电荷捕获问题的理解,但显然问题并没有完全解决,仍然需要继续工作。 相似文献
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6.
The dielectric permittivities(ε'&ε")and dielectric loss tangent(tan)are studied for the prepared samples CuFe2O4 and Cu1-xZnxGa0.1 Fe1.9 O4 spinel ferrites with (0.0≤x≤0.5)from room temperature up to 700K in the frequency range(102~105Hz).Dielectric anomaly at the transition temperature Tc is pronounced in the relations of dielectric permittivitties with temperature where,the obtained Tc is found to decrease linearly with increasing Zn concentration.The relation of tan with frequency at different temperatures shows relaxation spectra where the relaxation time and the maximum frequency of the hopping conduction mechanism are determined.The variation of(ε',ε"and tanδ)with frequency and temperature displays a strong dependence on both gallium and zinc concentrations.The results are explained in light of the cation-anion-cation and cation-cation interactions over the octahedral sites in the spinel structure. 相似文献
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聚合物薄膜电容器具有功率密度大、安全性高、绝缘性好等优点而被广泛应用在工程领域。近年来,随着新能源交通、清洁能源并网、油气开采等领域对具有优异高温储能特性的介电薄膜电容器需求日益增加,高温、高电场等极限条件下介质薄膜电容器的储能受到越来越多的关注,相关研究已成为电工材料领域的研究热点。该文总结近年来有关聚合物基复合薄膜的高温储能研究进展。首先,介绍决定电介质材料高温储能特性的关键参数,分析高温、高电场对相关参数的影响规律;其次,梳理基于不同空间层次设计的聚合物薄膜高温储能特性优化研究现状,从分子结构、微观结构、介观结构3个方面总结高温储能性能的调控方法;最后,对进一步提升聚合物薄膜的高温储能性能做出展望。 相似文献
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