2-氟-5-氯-3,4-二溴硝基苯的合成及晶体结构研究

邻二卤代苯是医药化工等领域的一类重要中间体,研究邻二卤代苯的高效合成方法具有重要的意义。采用一步反应制备目标化合物并研究其晶体结构。以2-氟-5-氯硝基苯为原料,经二溴海因溴代得到目标化合物。对合成条件进行了优化,考察了二溴海因的用量、滴加条件及反应温度对反应的影响,最终得到了较优的反应条件,反应总产率达到54.2%。其结构经~1HNMR和X-射线单晶衍射确证。方法操作简便,能一步制得邻二卤代苯中间体,适合工业化生产。     

铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。     

Nd：GdVO4晶体生长及其LD端面泵浦调Q激光性能

通过液相合成方法提纯Nd：GdVO4多晶料，降低生长过程中存在的原料非一致性挥发，以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”，Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd：GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”：YAG晶体对Nd：CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示，Cr^4 ：YAG Nd：GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns，对应峰值能量为26．4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较，发现掺钕浓度越高，激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍，4．8W泵浦光下，最大GaAs调制激光输出为0．63W。     

MCU更佳的应用伴侣——FM31系列

FM31XX是Ramtron公司最有竞争力的产品系列，包含4K-256K的铁电存储器，精度为＋2．17PPM的RTC，低电压复位，看门狗复位和低电压检测，8个可以锁定的特殊存储和2个16位的频率高达10M的计数器。     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟

文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管（FEMFET）的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用，由于铁电层反偏偶极子的开关作用，自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化，并由直观原型的方法得到了验证。     

单晶凝固组织的样品尺寸效应

通过对不同直径的单晶样品的凝固实验，研究了样品尺寸对单晶凝固组织的影响规律，研究发现，随样品尺寸减小，单晶凝固组织被细化，尤其一次枝晶间距λ1和枝晶间γ′相尺寸对样品尺寸的依赖性更为明显；样品尺寸影响的要质在于此表面积的变化，进而对凝固过程温度梯度产生影响，最终作用于凝固组织和力学性能，一次枝晶间距λ1和枝晶间γ′尺寸与样品的比表面积近拟呈线性关系，样品尺寸变化，明显改变了单晶生长过程的温度梯度和合金的高温持久寿命。     

黄河旋风将实施22000吨压机合成粗颗粒金刚石单晶及大直径聚晶复合片产业化项目

黄河旋风将实施22000吨压机合成粗颗粒金刚石单晶及大直径聚晶复合片产业化项目，项目总投资78000万元，其中固定资产投资52000万元，铺底流动资金26000万元。整个项目计划分三期建设，于2010年底全部投产。本项目建成达产后，年新增销售收入196140万元，新增利润总额40620万元，新增销售税金及附加16029万元；