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A. Nakano T. Shimazaki M. Sekiya H. Shiozawa K. Ohtsuka A. Aoyagi T. Iwakiri Z. Mikami M. Sato Y. Sugino K. Kinoshita T. Matsuoka T. Imamura Y. Takayama K. Yamamoto 《International Journal of Hydrogen Energy》2021,46(29):15649-15659
Monitoring the temperature in liquid hydrogen (LH2) storage tanks on ships is important for the safety of maritime navigation. In addition, accurate temperature measurement is also required for commercial transactions. Temperature and pressure define the density of liquid hydrogen, which is directly linked to trading interests. In this study, we developed and tested a liquid hydrogen temperature monitoring system that uses platinum resistance sensors with a nominal electrical resistance of approximately 1000 Ω at room temperature, PT-1000, for marine applications. The temperature measurements were carried out using a newly developed temperature monitoring system under different pressure conditions. The measured values are compared with a calibrated reference PT-1000 resistance thermometer. We confirm a measurement accuracy of ±50 mK in a pressure range of 0.1 MPa–0.5 MPa. 相似文献
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准确分析和控制射流冲击对航母甲板环境的影响是新型喷气偏流板设计和布局的关键所在。为了确定射流冲击影响最小的偏流板布局,运用有限体积法,采用分区混合网格方案,结合雷诺时均纳维斯托克斯(RANS)方程和SST k-ω湍流模型对喷气偏流板在不同布局下的射流冲击效应进行三维数值模拟。选取舰载机双发动机全加力状态时喷气偏流板与发动机距离不同、喷气偏流板倾角不同共12种布局组合进行射流冲击效应的对比计算,计算结果显示了喷气偏流板各布局下的流场参数、传热特性、尾喷口温升、冲击力和力矩等分布规律。定性和定量分析了燃气射流冲击下温度场和速度场的危险区域,结果表明,偏流板与发动机距离5 m、偏流板倾角45°时的布局更有利于将燃气射流向上引导。在此基础上,基于倾角最小化原则及二次导流原理优化设计了一种导流隔热性能好、工作稳定性高的被动隔热式喷气偏流板装置。 相似文献
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电信宽带LAN接入网建设中的有关问题探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
文章介绍了采用以太网技术的宽带接入网,对目前以及网宽带接入网建设中存在的问题如安全、维护、投资和计费等进行了研究,提出了解决上述问题的建议。 相似文献
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应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大 相似文献
7.
PCM/FM遥测系统中用于去除多谱勒频率和载波频偏的新方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首先分析了均匀采样二阶DPLL(Digital Phase-Locked Loop)误差传递函数的特性,并基于均匀采样二阶DPLL误差传递函数的高通特性提出了脉冲编码调制/调频(PCM/FM)遥测系统中用于去除多谱勒频率和载波频偏的新方法;然后给出了设计实例和相应的计算机仿真结果;最后给出了有效的实现方法。计算机仿真结果表明,基于均匀采样二阶DPLL误差传递函数的高通特性用于去除多谱勒频率和载波频偏的方法是可行的。 相似文献
8.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
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I.H. Song 《Thin solid films》2007,515(19):7598-7602
This paper is a report on the effect of a single perpendicular grain boundary on the hot-carrier and high current stability in high performance polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs). Under a hot carrier stress condition (Vg = Vth + 1 V, Vd = 12 V), the poly-Si TFT with a single grain boundary is superior to the poly-Si without any grain boundary because of the smaller free carriers available for electric conduction. The shift of transconductance in poly-Si TFT with a single grain boundary is less than 5% after hot carrier stress during a period of 1000 s. The shift of transconductance is about 25% in the case of the poly-Si TFTs without a grain boundary in the channel. On high current stress, the poly-Si TFT without the grain boundary is less degraded than the poly-Si TFT with the grain boundary because the concentrated electric field near the drain junction is lower. 相似文献