硅质钒矿硫酸熟化常温水浸提钒

以陕西某地硅质钒矿为研究对象,进行了单一硫酸浸出、硫酸助浸、空白焙烧—浸出、硫酸熟化—常温水浸提钒探索试验,确定出硫酸熟化—常温水浸工艺更适用于硅质钒矿,同时考察了熟化温度、熟化时间、熟化硫酸及水用量、矿石粒度、浸出温度对钒浸出率的影响。结果表明,在熟化硫酸用量15%、熟化水用量10%、熟化温度130℃、熟化时间4 h、原矿粒度-8 mm、熟料浸出液固比1.5、常温浸出3 h的条件下,可获得78%左右的钒浸出率。该硅质钒矿经硫酸熟化后水浸,浸出温度对钒浸出率影响小,可采用"熟化-柱浸(堆浸)"工艺进行提钒。     

Inconel 751合金长期时效过程中γ′析出相的长大行为

对经过标准热处理的Inconel 751合金,在700℃和850℃进行了长期时效处理。对长期时效处理后的合金组织进行了观察,采用Thermo-calc软件对合金γ′相的析出进行了热力学验证计算。结果表明,Inconel 751合金在700℃时效时,γ′相长大较为缓慢,而在850℃时效时γ′相迅速长大;随着时效温度的升高和保温时间的延长,合金中小颗粒γ′相数量减少,单位面积内的γ′颗粒数目减少,大γ′颗粒数目增加,即发生了Ostwald熟化;Inconel751合金中γ′相主要为N i3(A l,Ti),在700℃和850℃时效过程中,γ′颗粒长大受A l和Ti扩散控制。     

粗对苯二甲酸的高温熟化动力学研究

针对粗对苯二甲酸高温熟化过程的特点,开发了一套气液固三相熟化动力学实验技术,进行了熟化过程的动力学实验研究,对粗对苯二甲酸的熟化过程机理进行了剖析和数学描述。在此基础上,提出了粗对苯二甲酸的熟化动力学模型,并根据实验数据计算出了各动力学参数。揭示了粗对苯二甲酸的熟化规律,为 PTA 技术的工业技改和设计提供了依据。     

弹性条缝筛网用聚氨酯弹性体的研制

采用预聚法常压浇注制备煤矿用聚氨酯筛网，考察了聚醚多元醇、甲苯二异氰酸酯异构体种类、预聚体的NCO质量分数、扩链反应温度、后熟化温度及时间等条件对制筛网用的浇注型聚氨酯弹性体体系操作性能及物理性能的影响。实验表明，采用聚四氢呋喃二醇与聚氧化丙烯二醇的混合二醇(质量比为80：20)，制得的预聚体NCO质量分数控制在4．5％左右；再以MOCA和一种三官能度扩链剂的混合扩链剂进行扩链，制得的浇注型聚氨酯弹性体满足洗煤用筛网的性能要求。     

新型无机絮凝剂聚硅酸铝的制备及其模拟净水试验

以硫酸铝为主要原料，引入硅酸根，在高速剪切的条件下，经过聚合，熟化反应合成出有效铝含量(以Al2O3计)9．5％～12％，碱化度45％～55％，pH2．8～3．8的半透明液体PASS，该产品稳定性好，处理后水中的铝残余远小于PAC。对产品用硅藻土配的浊度水进行絮凝试验，并与PAC、硫酸铝对比，去浊效果是PAC的一倍。且不受pH因素影响。     

浓硫酸熟化水浸法由硅锌矿制硫酸锌

硫酸用量为３５－４０ｍＬ／１００ｇ矿，熟化温度２５℃，按３．５：１液固比水浸，锌浸出率和脱硅率达９７％和９９％以上，抽滤速度０．９ｍ＾３，滤液／ｍ＾２．ｈ以上。净化后的富锌液经蒸发，冷析，负干，得９８％以上的七水硫酸锌产品。     

Cu-Pb过偏晶合金颗粒生长和Ostwald熟化的相场法模拟

采用计算效率和计算精度较高的Fourier变换谱分析方法求解Cahn-Hilliard相场方程,并耦合热力学数据,对Cu-Pb过偏晶合金在等温情况下液相分离过程中的颗粒生长和Ostwald熟化进行了模拟研究.结果表明,合金体系中两液相区中的第二相颗粒生长和Ostwald熟化过程可以通过调节能量梯度系数和迁移率系数实现.在过饱和基体中第二相单个颗粒生长的计算结果表明,颗粒生长的扩散过程主要是系统自由能作用的结果,能量梯度系数γ对颗粒与基体之间的浓度梯度起调节作用.随着γ的减小,两液相之间的浓度梯度增大,颗粒轮廓线的斜率增加.颗粒半径的生长速率与经典的Zener理论良好吻合.模拟了Cu-Pb过偏晶合金不混溶区析出第二相颗粒半径的分布情况,随着粗化过程的进行,归一化颗粒半径的尺寸分布峰值由初始的小于平均尺寸逐渐向平均尺寸靠近,且最终超过平均尺寸.     

FGH96合金中γ＇相的高温粗化行为

利用热力学计算，SEM分析研究了FGH96合金中的γ’强化相的高温粗化规律，并对γ’相的粗化行为进行了动力学分析。结果表明：随着合金中组元Nb和Ti/Al值的变化，FGH96合金中γ＇相的溶解温度区间为1088℃-1125℃，在高温热处理过程中，随着保温时间延长，合金中小γ＇相数量减少，单位面积内的γ＇颗粒数目减少，大γ＇颗粒数目明显增加，即发生了Ostwald熟化；γ＇相粗化遵循L-S-W理论，即：γ^-1xt,γ＇相的粗化激活能Q=293.6kJ/mol,γ＇颗粒的粗化主要由Ti和Al在基体中的扩散所控制。