连续型衍射透镜激光直写技术研究

研究了不同于台阶形式的具有连续浮雕结构的衍射聚光透镜的激光直写工艺,简要描述了光致抗蚀剂的曝光和显影,对激光直写工艺的机理和工艺过程进行阐述.利用CLWS-300W/C极坐标激光直写设备制作出了具有良好面形微结构和较高衍射效率的连续型衍射透镜.研究表明,激光直写技术直写精度高,加工工艺灵活,利用计算机的控制,能够根据光学设计产生的浮雕分布数据制作复杂的、任意形状和外形的微型浮雕结构,非常适合于高精度微光学元件的加工制作.     

无明胶重铬酸盐全息记录软片的正性光抗蚀特性

对无明胶重铬酸盐全息记录软片（ＮＧＤ）的光正性抗蚀特性进行了分析研究，通过对溶解度的分析及红外光谱的测定，首次提出ＮＧＤ是一种新型的紫外正性光抗蚀材科，给出了实验及分析结果。     

软X射线光刻研究现状和发展

新的一代光刻设备朝着两个方向发展 ,一是趋向于大数值孔径、短波长 ;另一方面国际上正在寻求适应二十一世纪、小于 0 .1 5微米线宽的软 X射线投影光刻技术 ,预计成为下世纪制造千兆位以上超大规模集成电路的主要设备。软 X射线光刻及其应用研究是目前国际上非常活跃的高技术领域。把软 X射线光刻列为重要发展项目。本文摘要综述德国、美国、日本、俄罗斯等国近年来在软 X射线光刻关键单元技术及整机研究和发展方面的概况、预计下世纪初美国和日本将有软 X射线投影光刻机投入工艺生产线     

Synthesis and properties of UV-curable hyperbranched polyurethane and its application in the negative-type photoresist

UV-curable hyperbranched polyurethane(UV-HBPU) containing carboxyl groups was synthesized from isophorone diisocyanate(IPDI), diethanolamine(DEOA), polyethylene glycol(PEG-400), hydroxyethyl acrylate(HEA), and 2,2-bis(hydroxymethyl) propionic acid(DMPA). The UV-HBPU was used as a negative-type photoresist for a printed circuit board(PCB). Fourier-transform infrared spectroscopy(FTIR) and proton nuclear magnetic resonance(1HNMR) spectroscopy of UV-HBPUs indicated that the synthesis was successful. Differential scanning calorimetry(DSC) and thermogravimetric analysis(TGA) showed that the thermal stability of the UV-HBPUs decreased as the HEA content increased. The polymer exhibited excellent photoresist properties, and the resolution of circuits based on this negative-type photoresist reached 10 μm.     

钨钴硬质合金电化学蚀刻加工研究

对YG6硬质合金电化学蚀刻工艺进行了研究,提出了采用光致抗蚀剂作保护膜,在生成一定钝化膜的情况下进行电化学蚀刻的方法.在一定的蚀刻深度范围内,该工艺的可控性好、腐蚀区表面质量较好.     

非离子型产酸剂——N-羟基邻苯二甲酰亚胺对甲苯磺酸酯的合成与性能研究

以邻苯二甲酸酐、盐酸羟胺和对甲苯磺酰氯为起始原料，合成了非离子型光致产酸剂——N-羟基邻苯二甲酰亚胺对甲苯磺酸酯，对其进行了红外、核磁共振和紫外表征，测定了其化学结构、溶解性和紫外吸收等性能．结果表明，这种非离子型产酸剂较离子型产酸剂在常用溶剂中有非常良好的溶解性，并在248nm处有好的透明性，可用于深紫外光刻工艺体系．     

化学增幅型光致抗蚀剂用光产酸剂

综述了用于化学增幅型光致抗蚀剂的光产酸剂及机理,对于几种常用的离子型和非离子型光产酸剂分别进行了阐述,并对其特性和应用做了简单介绍.