高性能碳基储能材料的设计、合成与应用

电化学储能器件的性能很大程度上决定于其电极材料。碳材料具有来源广泛、化学稳定性好、易于调控、环境友好等优点，被广泛应用于各类能量存储系统，但仍存在能量密度低、倍率性能差等问题。本文从碳材料孔结构调控、杂原子掺杂、与金属氧化物复合三个角度，综述了构建高性能碳基储能材料的设计合成策略，介绍了其在锂/钠离子二次电池、超级电容器等领域的研究进展，对几种方法策略的优缺点进行了总结，并对未来的研究方向进行了展望。本文对高性能碳基储能电极材料的设计开发具有积极意义。     

一例带电水冲洗触发的220kV避雷器爆炸事故分析

对一例220 kV金属氧化物避雷器在带电水冲洗后发生爆炸故障的原因进行了分析。通过对完好避雷器和故障避雷器进行解体和对比分析,发现故障避雷器下节顶部压力释放装置内部的密封胶圈发生凹陷变形。最后,对该类事故提出预防措施。     

一起220kV氧化锌避雷器红外检测异常分析

对220 kV氧化锌避雷器带电红外检测过程中发现的异常情况进行跟踪分析,开展带电阻性电流测试以及常规停电预防性试验项目验证试验,最后进行解体检查和电阻片检测,得出故障原因,同时对氧化锌避雷器日常运维提出了相关建议。     

以MOFs为模板制备TMO/C复合材料 在锂离子电池中的应用

商用负极材料石墨理论比容量较低,无法满足市场的需求,发展具有更高比容量的负极材料来替代石墨至关重要.介绍了过渡金属氧化物(TMO)和金属-有机框架(MOFs)的特点及锂离子电池负极材料性能改进的方法,综述了以MOFs为前驱体制备TMO/C复合材料作为锂离子电池负极的优点及研究进展,并对此类负极材料的发展趋势进行了总结与展望.     

多指版图结构对纳米MOSFET阈值特性的影响分析

针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。     

新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器

从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。     

用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径

介绍了10Gbit／s速率的甚短距离光传输系统VSR(Very Short Reach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成(OEIC)接收机的可能性和实现方法。     

西安交通大学电力电子专用设备研究所产品介绍

西安交通大学电力电子专用设备研究所，主要致力于开发、研制及生产电力电子行业生产过程中所需的各种专用设备。研究所依托于西安交通大学雄厚的技术力量和科研成果，以赶超国际一流水平为奋斗目标。凭着扎实的基础、严谨的作风、科学的管理和先进的检测手段，确保了产品各项技术指标的领先性。     

恶劣环境下工作的避雷器的选用

问10kV直配线发电机中性点用FCD-6磁吹避雷器来保护。在长期受潮和温度过高的环境下，磁砍避雷器易出现故障。请问该怎样解决？