电感耦合等离子发射光谱法测定氧化铁颜料中微量镉

在用电感耦合等离子体发射光谱测定氧化铁颜料中的镉时,镉常用的3条谱线Cd214.439,Cd226.502和Cd228.802均受到铁光谱不同程度的干扰。实验采用铑作内标,在0～20.0?g/L的铁质量浓度范围内,研究了铁在这3条谱线下的干扰大小。结果发现Cd226.502干扰最大,Cd214.439干扰次之,Cd228.802干扰最小,干扰质量浓度分别在0.130～1.430?mg/L、?0.031～0.329?mg/L和0.005～0.025?mg/L之间;铁在Cd226.502、Cd214.439的干扰随铁质量浓度的增加而增加,增幅均较明显;铁在Cd228.802的干扰随铁质量浓度变化影响不大。最终用Cd228.802进行筛选分析,对于0.500?g样品称取量,当结果≤5.0?mg/kg时判定合格,结果6.2?mg/kg时判定为不合格,只有当结果介于二者之间时,再用其他方法进行分析确认。因此,用Cd228.802进行分析,可以大大提高筛选效率。     

电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)测定铁矿石中的磷、硅、铝

建立了碱熔-盐酸提取-电感耦合等离子体发射光谱法测定铁矿石中的磷、硅、铝的方法。通过实验确定了分析谱线和盐酸用量。方法检出限低,线性相关系数r均大于0.999 9。对实际铁矿石样品进行重复6次测定,并做了加标回收实验,精密度为0.18%~1.65%,回收率为98.0%~112.4%,经国家标准品验证,测定值与标准值相符。该方法快速准确,能达到同时测定铁矿石中磷、硅、铝的分析要求。     

流量比对等离子体基团分布和薄膜结构的影响

使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3／C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加，成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大，而刻蚀基团F的密度也会增加，从而使得a—C：F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明，在高CHF3流量下沉积的a—C：F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C：F薄膜的制备中CHF3／(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。     

磁增强反应离子刻蚀系统中的发射光谱诊断技术

利用发射光谱诊断技术研究了磁增强反应离子刻蚀系统中ＣＦ４＋Ｏ２的辐射谱、谱线成分及强度，分析了谱线强度与射频福射功率、氧气含量的关系，并与没有磁场存在时的情况作了比较。     

微量银的分析与测定

评述了近些年来国内外对于微量银的分析测定技术，包括分光光度法、电化学分析法、原子吸收分光光度法和发射光谱法等，对当前广泛应用的技术提出了改进的意见并对这类研究的发展前景做出展望。     

ICP-AES法测定封严涂层中BN含量

利用IC－AES法测定了封严涂层的BN，并对样品的溶解方法，仪器工作参数，光谱干扰等进行了研究。方法的相对标准偏差＜2％（n=10)，加标回收率在95％以上，方法简便，可靠，结果令人满意。     

掺染料激光介质的研究

以PMMA为基质，在助溶剂的作用下掺杂激光染料Rh6G制备出了塑料激光介质样品，采用YAG激光器作为泵浦源测试了塑料激光介质的发射光谱，讨论了其激光发射机理。     

紫外激光烧蚀金属Al靶诱导等离子体的发射光谱研究

通过测定紫外激光烧蚀Ａｌ靶诱导等离子体的发射光谱，研究了激光烧蚀Ａｌ靶的溅射过程和烧蚀环境气体对发射光谱强度的影响，提出电子碰撞激发模型，定性解释了烧蚀环境气体对等离子体发射光谱的增强效应。     

射频辉光放电发射光谱在深度分析有效信息量方面的改进

评述了射频辉光放电发射光谱中的两种新的测量方法：调幅技术和偏置电流导电技术。这两种方法在分析薄膜试样时非常有效。应用调幅技术时，辉光放电电压以低频进行调制，在发射信号周期性变化的同时，溅射率降低。尽管随脉冲数的减少发射强度降低，但发射强度能用选频放大器选择性地进行检测，从而能获得较好的信噪比。在偏置电流导电技术中，直流偏置电流被导入由低通滤波器和负载电阻组成的辉光放电灯电路中，偏置电流将大量电子引入等离子体中，从而导致等离子体区域发射强度的增强，而同时由于偏置电流的减少而使得溅射率降低。这两种技术有利于改进辉光放电发射光谱的深度信息分析。