离子注入中污染的产生及防护

本文概述了离子注入过程中污染产生的原因和防止污染的措施，特别强调了对微粒污染和金属污染的防护以满足ＵＬＳＩ加工对离子注入的要求。     

As＋注入Si1—xGex的快速退火行为

用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的快速退火行为进行了研究，Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３，Ａｓ注入剂量为２×１０＾１６ｃｍ＾－２，注放能量为１００ｋｅＶ，快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒，实验结果表明，Ｓｉ２－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快，对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样吕，Ａｓdispla     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

前向反冲分析和非卢瑟福背散射

介绍了弹性散射分析中的另外两种分析方法——前向反冲分析和非卢瑟福背散射分析。前向反冲分析适用于材料中H和He同位素分析。高能质子和He离子背散射分析可提高对重基体中C,N和O等轻元素分析的灵敏度。给出了这两种分析方法的应用实例。     

氦-氖激光抑菌作用的实验观察

氦氖激光照射有无直接杀菌和抑菌作用,目前有不同的看法。作者通过实验探索,即用一只新鲜兔血制成6个血琼脂培养皿,背面用红笔以90度角将各乎皿四等分,每分中心用0.5×0.5cm~2的胶布固定,注明0、10、15、20分钟的接种及照射点。将金黄色葡萄球菌用消毒针接种在各照射点上,置入37℃温箱。两小时后取一平皿,按各点的时间用     

Luminescent Properties of Nanometer Si with Embedded Structure

Blue luminescence at about 431nm is obtained from epitaxial silicon after C^ implantation,annealing in hydrogen ambience and chemical etching sequentially. When annealed in nitrogen ambience and etched accordingly, there is a much narrower peak at about 430nm. During C^ implantation,C=O compounds are introduced into and embedded in the surface of nanometer Si formed during annealing,at last, nanometer silicon with embedded structure is formed,which contributes to the blue emission.     

注氢硅中微结构缺陷的TEM观察

通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带，损伤带的位置和注人氢的分布几乎一致，推断损伤带是由于氢的注入引起的。损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主，另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷，这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的。在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞，这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷面导致形成的。     

BiSrCaCuO玻璃表面的离子注入

用ＸＰＳ研究了注入银离子的ＢｉＳｒＣａＣｕＯ玻璃的表面结构，讨论了离子注入对玻璃表面晶体生长的影响。     

HT—7装置工程调试与低温系统长周期供冷

合肥超导托卡马克装置ＨＴ－７已进行了工程调试，在１．４Ｔ环向场下获得脉宽２５０ｍｓ，平顶幅值１６０ｋＡ等离子体电流。其低温系统从１９９５年２月６日至３月６日连续给装置供冷，带有四台活塞式膨胀机的５００Ｗ／４．６Ｋ制冷机通过两次节流或喷射器给装置提供４．５Ｋ两相Ｈｅ流。