全文获取类型
收费全文 | 9121篇 |
免费 | 543篇 |
国内免费 | 496篇 |
专业分类
电工技术 | 524篇 |
综合类 | 1502篇 |
化学工业 | 394篇 |
金属工艺 | 207篇 |
机械仪表 | 633篇 |
建筑科学 | 1211篇 |
矿业工程 | 407篇 |
能源动力 | 196篇 |
轻工业 | 599篇 |
水利工程 | 902篇 |
石油天然气 | 716篇 |
武器工业 | 105篇 |
无线电 | 848篇 |
一般工业技术 | 634篇 |
冶金工业 | 185篇 |
原子能技术 | 111篇 |
自动化技术 | 986篇 |
出版年
2024年 | 29篇 |
2023年 | 108篇 |
2022年 | 150篇 |
2021年 | 175篇 |
2020年 | 218篇 |
2019年 | 195篇 |
2018年 | 112篇 |
2017年 | 203篇 |
2016年 | 229篇 |
2015年 | 276篇 |
2014年 | 462篇 |
2013年 | 402篇 |
2012年 | 488篇 |
2011年 | 497篇 |
2010年 | 456篇 |
2009年 | 465篇 |
2008年 | 765篇 |
2007年 | 664篇 |
2006年 | 435篇 |
2005年 | 472篇 |
2004年 | 387篇 |
2003年 | 355篇 |
2002年 | 244篇 |
2001年 | 274篇 |
2000年 | 254篇 |
1999年 | 202篇 |
1998年 | 229篇 |
1997年 | 173篇 |
1996年 | 175篇 |
1995年 | 193篇 |
1994年 | 167篇 |
1993年 | 119篇 |
1992年 | 113篇 |
1991年 | 115篇 |
1990年 | 118篇 |
1989年 | 139篇 |
1988年 | 30篇 |
1987年 | 16篇 |
1986年 | 9篇 |
1985年 | 10篇 |
1984年 | 13篇 |
1983年 | 9篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 8篇 |
1980年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 27 毫秒
1.
2.
针对矿用高压变频器常因 IGBT 模块内部发生局部放电而导致故障的原因和特性进行了研究。 本文从微观角度观察了 IGBT 模块局部放电发生位置的结构特点,发现其结构绝缘薄弱处在高斜率阶跃脉冲作用下易发生局部放电现象;建立了 IGBT 模块在阶跃脉冲作用下的局部放电过程模型,揭示其发生局部放电的机理;搭建实验平台,测试 IGBT 模块在单个脉冲作用下的局部放电特性。 实验结果表明,脉冲的上升时间、脉冲宽度是影响局部放电起始电压的主要因素;根据实验数据的分析,提出了预测局部放电起始电压的计算公式。 研究结果可为煤矿电力电子设备 IGBT 模块的绝缘设计和使用时的电压限制提供参考依据。 相似文献
3.
从提高流屑角突变模型的预测精度出发,建立了切削状态参数与3个切削控制参数之间关系的新经验公式。提出了一种通过迭代法准确设定有限元仿真软件刀-屑摩擦因数的方法,并通过直角切削Al6061-T6工件的有限元仿真试验,获得了一组不同切削控制参数组合条件下的切削状态参数数据。根据该数据拟合出剪切角φ、刀-屑摩擦角β、剪切应力τs关于刀具前角γ0、进给量f和切削速度v的经验公式,并通过一组直角切削试验,验证了所得经验公式的有效性。将新建经验公式应用于流屑角突变建模过程后,所得模型关于突变临界切削宽度的平均预测误差减小了27.2%。 相似文献
4.
5.
《Planning》2019,(5):161-162
基于任意C型环试样结构尺寸及其力学关系,建立了C型环内任意截面的力学模型,根据材料力学基本理论,推导出了其外壁和内壁任意一点环向应力与C型环试样加载位移、加载载荷之间的理论计算公式。为了验证本文推导的理论公式的正确性,建立了C型环试样的有限元计算的力学模型,当某试验要求C型环试样最大环向拉应力为650 MPa,对油管外径88.9 mm的C型环试样,通过有限元法和本文推导的理论公式对该结构工况进行计算和对比分析,得出有限元法和理论公式计算出需要施加的载荷和位移的误差分别为-1.82%和1.25%,证明推导文中推导的理论公式的正确性,为C型环硫化物应力腐蚀开裂(SSCC)和应力腐蚀开裂(SCC)实验加载参数的确定提供了简便的计算方法。 相似文献
6.
纳米MOS器件的设计模型 总被引:1,自引:0,他引:1
王伟 《电气电子教学学报》2006,28(5):57-60
几十年来,MOS器件一直遵循摩尔定律不断发展,对于缩小到纳米尺度的MOS器件,量子效应更加突出。研究纳米尺度MOS器件的物理问题,以及适用于纳米MOS器件的设计已成为当前微电子领域重要研究内容。本文简要介绍和评述了纳米MOS器件的设计模型.并对基于非平衡态格林函数以及薛定谔方程和泊松方程自洽解的器件模型应用进行了举例说明。 相似文献
7.
Zk线性码的对称形式的MacWilliams恒等式 总被引:8,自引:2,他引:6
该文定义了Zk线性码的码字的对称重量计数公式,利用离散的Hadamard变换,建立了线性码与其对偶码之间的对称形式的MacWilliams恒等式. 相似文献
8.
9.
10.
某些微分方程和相应的积分方程之间的关系被讨论;这些微分方程通过边境小波变换可被转换成相应的积分方程,它们不仅在弱收敛意义下而且在范围数收敛意义下是等价的;关于这些微分方程的讨论就与相应的积分方程的讨论联系起来。 相似文献