成分配比对稀土钨电极材料组织及力学性能影响

通过固液掺杂、等静压压制、中频烧结的方法，制备了不同的氧化镧、氧化钇、氧化锆三元掺杂成分比例的钨电极材料烧结棒材，探究了不同成分配比对样品显微组织、第二相粒子分布以及宏观力学性能的影响。结果表明，氧化镧、氧化钇、氧化锆三元复合添加能够有效改善第二相粒子在钨基体中的分布形态，降低第二相在晶界的过度富集，提高钨电极材料的综合力学性能。并且当添加成分镧、钇、锆质量比为3:1:1时，材料具有最好的综合力学性能，致密度可达96.04%，显微硬度可达549.37HV0.3，抗压强度可达3785MPa，原因是此配比下第二相粒子最为细小均匀，弥散程度最高，对基体晶粒的细化作用最好，该配比下钨基体平均晶粒尺寸达到10.3μm。     

锰氧化物催化氨氮氧化的电子转移路径研究

将附有MnO_x的活性碳颗粒(MnO_x/AC)作为燃料电池(FC)的阳极,以研究锰氧化物(MnO_x)催化氨氮氧化过程的电子转移路径。结果表明,有MnO_x附着的活性碳在FC(MnO_x/AC-FC)中对NH_4~+-N的去除率比原始活性碳在FC(AC-FC)中对NH_4~+-N的去除率高1.3倍,且MnO_x/AC-FC的最大电流密度为26.0 m A/m~3,而AC-FC无电流产生。这表明MnO_x可作为电子介体把NH_4~+-N中的电子从阳极传递到阴极,最终被阴极电子受体的O_2接收。当添加质量浓度1 mg/L的Mn~(2+)于MnO_x/AC-FC电解液时,与无Mn~(2+)添加相比,NH_4~+-N的去除率增大至48.8%,可能是Mn~(2+)在MnO_x的自催化作用下能形成新的MnO_x,为催化氨氮氧化提高了更多的活性位,促进了NH_4~+-N的去除。     

高熵氧化物的制备及应用研究进展

高熵氧化物作为近几年发展起来的新型氧化物体系，打破了传统掺杂氧化物的设计理念，由五种及以上氧化物以等摩尔或近等摩尔构成，因其具有简单的结构和优异的性能等受到国内外研究人员的广泛关注。高熵氧化物由于多主元且主元之间混乱排列，易形成岩盐型、氟化钙型、尖晶石型或钙钛矿等固溶体结构，从而表现出优异的性能，尤其在能源存储材料和磁性材料方面有十分广阔的应用前景，但目前对高熵氧化物应用研究较少。本工作介绍了国内外高熵氧化物的制备方法，主要包括固相法、热解法、共沉淀法、水热合成法和液相燃烧合成法等，比较了各方法的优缺点和发展前景；归纳了高熵氧化物作为锂离子电极材料、巨介电材料、磁性材料和催化材料等方面的应用；指出了高熵氧化物目前研究存在的问题，讨论了解决措施，展望了高熵氧化物未来的发展趋势。     

NMMO法竹纤维拉伸强度的影响因素探讨

以竹浆粕为原料,N-甲基吗啉-N-氧化物(NMMO)水溶液为溶剂,没食子酸正丙酯为抗氧剂,采用湿法纺丝工艺制备竹纤维,讨论了竹浆粕的聚合度、纺丝原液的竹纤维素含量以及抗氧化剂添加量等因素对竹纤维拉伸强度的影响,并通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对竹纤维的表面微观形貌进行观察。结果表明:在竹纤维素质量分数为11%～15%、竹浆粕聚合度为450～950、抗氧剂质量分数0～0.5%的条件下,随着竹纤维素含量的增加、竹浆粕聚合度的增大和抗氧化剂添加量的增加,竹纤维的拉伸强度均呈上升趋势;FE-SEM观察发现竹纤维原纤化明显,表面出现明显的表面缺陷。     

稀土在激光熔覆镍基自熔合金中的作用

采用CO2激光器在低碳钢表面进行激光熔覆处理,研究了稀土氧化物在激光熔覆Ni45自熔合金层中的作用.结果表明,加入适量稀土的熔覆合金层组织得到细化,其在还原酸中的耐蚀性和抗高温氧化能力较不加稀土镍基合金熔覆层都有较大提高,更远高于低碳钢.可见,稀土变质的激光熔覆处理对提高低碳钢性能具有重要指导意义.     

介孔-大孔结构无定形硅-铝催化剂的核磁共振研究

合成了具有介孔-大孔双模型分级结构的无定形硅-铝催化剂,利用硅和铝核的固体魔角核磁共振谱,考察了合成样品中硅和铝结构上的原子特征.     

溶胶--凝胶镀膜技术综述(连载5)

第三节　常见氧化物膜目前研究最多的氧化物膜可谓二氧化硅和二氧化钛膜 ,这两种薄膜也是接受呈色离子、制备彩色镀膜常用的基体膜 ,所以 ,有必要将它们单独列出 ,加以讨论。1　二氧化钛膜在所有高折射率材料中 ,由钛的化合物制备的氧化物膜具有特殊的实际意义。因此 ,对二氧化     

过冷包晶合金的相选择分析

分析了过冷包晶铁基合金、铜基合金、稀土超导乳化物、稀土木磁化合物非平衡凝固过程中的相选择现象。根据对实验结果的分析，对过冷包晶合金凝固的相选择进行了分类。探讨了过冷包晶合金凝固今后的研究方向和应用前景。     

新型MSIS结构气敏电容的研究

采用静电喷雾高温分解工艺制备ＳｎＯ２气敏膜，并与Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２集成多层介质膜，用催化金属Ｐｔ作栅电极，制成新型的ＭＳＩＳ结构气敏电容。通过检测平带电压的变化，研究对Ｈ２和Ｏ２的气敏特性，分析其气敏机理并提出了检测的物理模型．     

荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功的计算

阴极的逸出功是表征阴极发射能力的物理量，求定荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功时，因其零场发射电流密度难于准确取值，温度无法直接测量，显得困难，须予解决，为此提出了一种计算阴极有产逸出功的办法，对某显示管的发射欠佳和“低温高效”的两种氧化物阴极的有效逸出功进行计算，有效逸出功率是靠测量相关物理量再同计算得出，精度不很高，文中所用办法也不例外，但所得结果能反映阴极发射能力，所需仪器少，是实用方法。