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1.
采用溶剂热法成功的制备出了不同核壳结构NaYF_4基上转换发光材料。利用X射线衍射、透射电子显微镜和荧光光谱等对产物进行表征,探讨反应时间对核壳结构纳米粒子发光强度的影响。结果表明:α-NaYF_4@β-NaLuF_4:Yb,Er纳米粒子的发光强度随反应时间的增加越来越强,反应时间为24 h时,成功制备出尺寸约为50 nm的核壳纳米粒子,并且随着反应时间延长六方相晶体的衍射峰强度逐渐增高,发光强度逐渐增强。活性壳α-NaYF_4:Yb,Er@β-Na Lu F_4:Yb纳米粒子的发光强度比惰性壳α-NaYF_4:Yb,Er@β-NaLuF_4纳米粒子的发光强度高,这得益于活性壳层包含敏化剂Yb~(3+),敏化剂可以吸收激发能量,并将能量传递给核内的激活剂,从而提高材料的发光强度。 相似文献
3.
采用干法(稀土氧化物与无水HF气体高温反应)合成Nd∶LiYF4(Nd∶YLF)多晶料。通过X射线衍射仪对多晶料的物相结构进行表征,确定了多晶料合成最佳工艺参数。发现稀土氟化物原料中氧化物杂质的存在对生长晶体有很大影响,直接采用未经处理的氟化物原料生长晶体,会在晶体表面出现白色包裹物。因此,在HF气氛下,经1 200℃热处理才能去除残留在氟化物原料中的氧化物杂质,保证生长晶体的质量。实验确定了生长YLF晶体的最佳组分配比是LiF与YF3的摩尔比为53∶47。以最佳组分配比,采用提拉法生长了Nd∶YLF晶体。结果表明:以最佳组分配比生长的Nd∶YLF晶体具有高的纯度和光学性能;在808nm二极管激光器泵浦下,位于1 047和1 053nm处的发射峰(4 F3/2→4 I11/2)均有较强的荧光发射。 相似文献
4.
本文介绍了一种用于镍电极片式叠层陶瓷电容器(MLCC)承烧的等离子喷涂承烧板,并详细介绍了该产品生产的工艺过程,以及阐述了这种等离子喷涂承烧板性能、应用及市场化情况。 相似文献
5.
利用硝酸镱和硝酸钇在苯和无水乙醇中与白氨酸作用,制备了它们1:3型固体配合物。经元素分析、熔点测定和X—射线粉末衍射,说明它们是新化合物,组成为RE(Leu)_3(NO_3)_3·2H_2O(RE=Yb·Y,Leu—L—α—leucine);摩尔电导测定表明它们在水中为1:3型电解质;IR光谱说明稀土离子与内盐形式的白氨酸羧基配位;TG—DTG曲线表明配合物受热分解分两个阶段进行。 相似文献
6.
研究了掺杂氧化钇对D5ZnO电阻片的电位梯度、方波容量和压比(U5kA/U1mA)的影响,结果表明,随着氧化钇含量的增加,电位梯度持续增加,最高达到367V/mm。当氧化钇含量在0.3%~0.7%时,压比和方波容量性能最好,分别为1.65和246J/cm3。从微观分析结果,可以看出,上述电性能特征在微观层次上的产生根源是含钇晶间相的总量和分布的变化。通过能谱分析和X射线衍射分析,确定了含钇晶间相的成分范围:Y为10%~50%;Bi、Sb都为15%~25%,主晶相化学组成为Y1.5Sb0.5O3.5。 相似文献
7.
研究了在ZnO-Bi2O3-Sb2O3系ZnO电阻片中添加少量硼酸和掺杂0.2%~0.8%(摩尔分数)的氧化钇(Y2O3),其显微结构和电性能的变化情况。结果表明,随Y2O3掺杂量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度从210V/mm提高到422.5V/mm;当掺杂量为0.6%(摩尔分数)时,电性能达到最佳,即残压比最小,为1.12;漏电流最小,为353.0μA。掺杂Y2O3使ZnO晶粒周围除了形成Zn7Sb2O12尖晶石外,还形成了具有细微颗粒的含钇相(Zn-Sb-Y-O)和含铋相(Bi-Sb-O),尖晶石相、含钇相和含铋相的同时存在更加有效地抑制了ZnO晶粒的长大。添加硼酸和增加含钇相在很大程度上改善了ZnO电阻片的电性能。 相似文献
8.
《矿冶》2015,(Z1)
采用光学显微镜、X射线衍射分析、电子探针分析以及工艺矿物学参数自动定量分析测试系统Mineral Liberation Analyser(MLA)对江西某复杂铌钇矿石中主要含铌矿物进行了详细的工艺矿物学研究,结果表明,矿石中主要含铌矿物种类较多、嵌布粒度细、嵌布关系复杂,主要含铌矿物为褐钇铌矿、复稀金矿、铌铁金红石,这些矿物嵌布粒度极细,褐钇铌矿、复稀金矿和铌铁金红石的小于0.01 mm难选粒级分别为66.04%、52.13%、55.80%,单体解离十分困难,含铌矿物常与矿石中的稀土矿物、锆石、磁铁矿等矿物相互呈浸染分布,类质同象现象严重。选矿试验研究结果表明,含铌矿物单体解离度过低是影响含铌精矿品位的主要原因。 相似文献
9.
10.
主要研究了退火工艺对钇铁石榴石(YIG)薄膜铁磁共振线宽的影响。实验中微米级的YIG薄膜通过磁控溅射法在Gd_3Ga_5O_(12)(GGG)(111)衬底上制备,并通过750~950℃常压常规退火及750~850℃真空快速退火两种方式对薄膜进行退火晶化处理。最终系统地研究了薄膜的微观晶体结构、磁性能和铁磁共振线宽性能。研究发现,经过800℃,10 min的真空快速热处理的YIG薄膜磁性能优异,其铁磁共振线宽为2 626.1 A/m@9.3GHz,阻尼系数α=2.077×10~(-3),薄膜表面粗糙度为1.9nm。 相似文献