掺钪AlN材料特性及HBAR器件性能研究

该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e₃₃增加、刚度 下降,导致Al₁-_xSc_xN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al₁-_xSc_xN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。     

变电站并联电容器组故障分析及技术改进措施

对一起电容器损坏事故进行分析，认为谐波是电容器损坏的主要原因，通过建立模型、理论计算分析了3次、5次谐波对电容器运行的影响，指出系统非对称运行时3次谐波可能导致系统发生3次谐波谐振，无功补偿装置阻抗值配置不合理将会导致电容器发生损坏。通过理论计算，提出将电抗器电抗率由6%提高到15%的技术改进措施。     

电力机车RC回路电阻谐波功率分析

电力机车的RC阻容过电压保护电路中电阻出现烧毁故障现象。本文分析半控整流电路的工作过程,构建RC阻容两端电压的分段函数,利用matlab计算和仿真,通过运用谐波分析的方法,计算在控角α发生变化时,对应额定电压和最高电压下电阻的功率,并绘制电阻的功率曲线。最后提出了避免电阻烧毁的建议。     

不同层面缺陷地对功率放大器的影响

论述了位于不同层面的缺陷地结构(DGS)应用于功率放大器的设计。一种是在微带线的两侧接地面刻蚀DGS,另一种是在微带线的背面接地刻蚀DGS,通过ADS Momentum仿真确定DGS的尺寸,并将这两种DGS应用到一款4 W功率放大器中进行仿真和实际制板测试。实测结果显示在微带线两侧接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.76 d Bm时改善二次谐波13 d B,且输出功率和功率附加效率(PAE)优于不刻蚀DGS的功率放大器。在微带线背面接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.21 d Bm时改善二次谐波28 d B,由于DGS结构改变了正面微带线的特征阻抗,所以输出功率和功率附加效率低于不刻蚀DGS的功率放大器。     

基于维纳滤波与理想二值掩蔽的数字助听器语音增强算法

研究了基于先验信噪比估计的维纳滤波增强算法，针对基于先验信噪比估计的维纳滤波法未能有效提高语音可懂 度的缺点进行了研究与改进:首先，引入了以MMSE为准则的两步先验信噪比估计取代原“直接判决”法。其次，针对信噪比为负的区域，增益函数误差的过高估计会严重降低语音可懂度的问题对增益函数进行了改进，放大了负信噪比区域的噪声谱，从而降低增益函数被过高估计的可能性，最后，结合理想二值掩蔽的技术，对处理后的语音信号进行后处理，实验结果表明， 改进的方法能够有效的提高语音可懂度并降低语音信号的畸变。     

三相四线制整流器网侧电流谐波分析与抑制

三相四线制整流器在轻载工况下,输入电流总谐波畸变率(THD)较大.针对此问题,这里详细分析了网侧电流低频谐波的成因,并推导了各次谐波计算公式.为有效抑制网侧电流谐波,提出了在d轴和q轴采用1/6阶重复控制,在零轴采用1/3阶重复控制的策略,并指出分数阶重复控制比准分数阶重复控制有更好的谐波抑制效果.最后搭建一台4 kW实验样机,验证了所提控制策略的有效性.