纳秒脉冲激光加工高反射率铝膜

为了研究基于近红外纳秒脉冲激光的高反射率金属薄膜的加工可行性以及加工效果, 采用纳秒脉冲激光对高反射率铝膜进行激光加工, 分别测量了在不同激光光斑尺寸和不同激光能量的条件下, 铝膜表面所发生的烧蚀形态变化。结果表明, 即使铝膜表面反射率高达96%, 依然能对铝膜进行激光加工; 使用较高功率激光对铝膜表面进行离焦加工(能量密度约小于1000J/mm2)的烧蚀图样比使用较低功率激光对铝膜表面进行对焦加工(能量密度约大于2000J/mm2)的烧蚀图样更加规则。相关实验结果对激光加工高反射率材料时激光参量的选择可起到一定的指导作用。     

一种双路输出不间断直流电源的设计

针对不间断中小功率电源的需求，设计了两路输出分别是4.2Ｖ和12Ｖ的不间断直流电源，主要由多路输出正－反激变换器、Buck充电电路、单环稳压控制电路及锂电池放电切换电路组成。具体实现方法是，市电正常供电时，通过UC3845芯片控制正－反激变换器实现三路电压输出，其中两路分别是4.2Ｖ 和12Ｖ的稳压输出，另一路输出由ARM控制给锂电池分 阶段充电，在市电断电时，通过ARM智能控制继电器使锂电池切换到放电状态，利用同一个变压器再次通过反激变换器方式实现两路稳压输出，并且由ARM控制器采用 PID算法实现主路输出的稳定，完成相应的仿真和实验验证，结果表明了电路设计和控制方法的正确性，实现了不间断双路输出直流电源各项技术指标。     

Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

脉冲电沉积镍-铜合金

采用脉冲电沉积技术在304不锈钢表面制备Ni-Cu合金镀层,镀液组成和工艺条件为:NiSO4ꞏ6H2O 200g/L,CuSO4ꞏ5H2O 10 g/L,十二烷基硫酸钠0.2 g/L,柠檬酸钠80 g/L,糖精0.2 g/L,pH 4.0,温度25°C,搅拌速率30 r/min,平均电流密度40~120 mA/cm2,脉冲频率0~100 Hz,占空比20%~90%,时间30 min。研究了平均电流密度、脉冲频率和占空比对Ni-Cu合金镀层的元素组成、表面形貌和显微硬度的影响,得到较优的工艺参数为:平均电流密度40 mA/cm2,脉冲频率50 Hz,占空比60%。该条件下所得Ni-Cu合金镀层由质量分数分别为56.53%和43.47%的Ni和Cu组成,呈“菜花”状形貌,结晶细致、均匀,显微硬度为614.4 HV。     

脉冲高度权重技术测量197Au中子俘获截面

脉冲高度权重技术是利用C_6D_6探测器测量中子俘获截面的一种数据处理方法。在中国散裂中子源(China Spallation Neutron Source,CSNS)的反角白光中子源(Back-n)靶站上,通过测量金靶(~(197)Au)的中子俘获截面,验证了该方法的可靠性。首先利用Geant4蒙特卡罗程序模拟给出了不同靶条件下的探测器效率,脉冲高度权重函数等基本项,使得加权后的探测器效率与γ能量成正比。然后通过实验测量了~(197)Au中子俘获截面。结果表明:测量获得的中子俘获截面数据和ENDF/B-VⅢ.0评价数据相符合,同时发现随着实验靶尺寸的不同和质子束功率的增加,会使得实验本底的扣除误差越来越大。     

三次脉冲法在电力电缆故障测试中的应用

笔者分析了三次脉冲法电力电缆故障测试原理及组成,利用案例分析法证实三次脉冲测试方法现场测试的有效性。探讨了三次脉冲法电力电缆故障测试中脉冲宽度、工作电压的选择及低频振荡等问题。得出了近端故障测试宜采用0.1μs、0.2μs脉冲宽度,远端故障测试宜采用1μs、2μs脉冲宽度的结论。为保证故障点充分击穿,所加的冲击高压的幅度一定要高,如果故障点无法击穿,宜先采用冲闪法,使故障点"降阻"后进行测试。通过延迟三次脉冲发送时间或调整电容器电容量可避开低频振荡对测试的影响。该方法对快速定位电力电缆故障有一定参考价值。