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半导体功率器件(即电力电子器件)是电力电子技术的三大核心基础之一,被比作电力电子装置的“CPU”。现有功率器件多采用Si基或SOI基,但是受限于自身材料特性的影响,在节能与转换效率方面越来越显示出他们的局限性。为解决上述问题,半导体功率器件除了继续对传统器件进行新理论和新结构的创新研究外,也正在遵循“一代材料、一代器件、一代装置、一代应用”的发展趋势,从传统的Si基和SOI基向宽禁带半导体SiC和GaN基进行扩展和延伸。 相似文献
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在匀场电源中,存在LC输出滤波器与负载电感谐振造成系统不稳定和阻尼电阻带来阻尼损耗大的问题。通过建立系统的数学模型推导了控制信号到输出电流的传递函数,由传递函数得到谐振频率和阻尼系数的表达式。在此基础上,提出了一种根据谐振频率和阻尼系数的约束范围来对滤波器和控制环路参数进行优化设计的方案。该方案降低了阻尼损耗,同时具有良好的动态性能和稳态性能。最后,搭建了一台48 V/5 A的实验样机。实验结果表明,系统在跟踪频率为100 Hz、幅值为5 A的梯形参考电流下,延时时间仅为60μs,阻尼损耗仅为4.4 W,验证了理论分析的正确性。 相似文献
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采用溶剂热法成功的制备出了不同核壳结构NaYF_4基上转换发光材料。利用X射线衍射、透射电子显微镜和荧光光谱等对产物进行表征,探讨反应时间对核壳结构纳米粒子发光强度的影响。结果表明:α-NaYF_4@β-NaLuF_4:Yb,Er纳米粒子的发光强度随反应时间的增加越来越强,反应时间为24 h时,成功制备出尺寸约为50 nm的核壳纳米粒子,并且随着反应时间延长六方相晶体的衍射峰强度逐渐增高,发光强度逐渐增强。活性壳α-NaYF_4:Yb,Er@β-Na Lu F_4:Yb纳米粒子的发光强度比惰性壳α-NaYF_4:Yb,Er@β-NaLuF_4纳米粒子的发光强度高,这得益于活性壳层包含敏化剂Yb~(3+),敏化剂可以吸收激发能量,并将能量传递给核内的激活剂,从而提高材料的发光强度。 相似文献