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基于0.25μm栅长GaN HEMT工艺,采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段GaN功率放大器.放大器设计从建立大信号模型出发,输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗,从而提高整体放大器的功率效率.测试结果表明,该放大器在14.6~18GHz频带内,小信号增益30dB,脉冲饱和输出功率达15W,功率附加效率(PAE)大于32%;在14.8GHz频点处,放大器的峰值功率达19.5W,PAE达39%.该结果表明GaN MMIC具有高频高功率高效率的优势,具有广阔的应用前景. 相似文献
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A Ku-band satellite transponder capacity is evaluated for a PCM/QPSK/FDMA system in which many carriers are transmitted in an SCPC mode. The capacity depends on earth-station sizes, error-correction coding, required signal-to-noise ratio and required availability in rain; for simplicity all of these parameters are assumed to be the same for all carriers in the transponder. A method of accounting for the effects of rain is developed; it is assumed that the earth-stations do not adjust their output power when it rains. Trade-offs between earth-station sizes and error-correction code rates are examined. 相似文献
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雨衰是影响Ku波段卫星通信系统传输质量及系统性能的主要因素之一.本文介绍了Ku波段卫星通信中雨衰产生的机理及其对卫星信道的影响,并提出了有效减少雨衰对Ku波段卫星通信不利影响的策略. 相似文献
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随着卫星通信的发展,高频段和高集成的卫星设备被广泛使用,在设备出现故障时,操作人员无法科学判断设备故障在于射频部分还是在于主机部分。在分析和研究Ku波段便携站射频设备的基础上,详细介绍了利用微波技术和高频电子器件研制的一个不对设备造成危险或者危害且能快速、准确测量判断Ku波段便携站射频单元的测试架的设计与实现过程。 相似文献
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所介绍的适用于双修正型卡塞格伦天线Ku频段大功率宽频带频率复用馈源,其覆盖全Ku频段(即接收10.70-12.75GHz,发射13.75-14.50GHz),功率容量可达2kW,性能完全满足国际卫星组织标准,达到国外同类产品水平。 相似文献
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基于多层微波数字复合基板层叠互联技术,研制的Ku波段综合馈电多功能板集成了射频收发网络、电源分配网络、阵面波控及波控分配网络,主要负责16个片式T/R组件的功率分配与合成,同时为各T/R组件提供电源及控制信号。文中对多功能板的架构设计、工作原理进行了说明,重点介绍了各微波垂直互联电路和射频收发网络的设计,最后加工并测试了验证样件,测试结果良好。收发网络总口驻波<1.9,分口驻波<1.3,插损<16 dB,相邻端口的隔离度>20 dB,且幅度一致性≤0.602 dB,相位一致性≤6.429°。工程应用可行性和实用性得到了验证。 相似文献
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Ku波段模拟预失真线性化器 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种基于模拟预失真方法的线性化器设计。利用预失真技术设计行波管配用线性化器的数学模型,得出了预失真电路的功率转移特性曲线和相位特性曲线。预失真电路采用上下支路对消结构,通过二极管产生失真信号,并利用2个可调衰减器和可调移相器来调节其幅度和相位,以此补偿功率放大器的AM-AM,AM-PM失真特性,改善输出信号的线性度。此外通过改变二极管的偏压,线性化器能够提供不同种幅度和相位特性的组合方式,用于不同特性的功放。基于该模拟预失真方法设计了行波管线性化器,在给定的动态范围内幅度扩张5 dB,相位扩张40°。 相似文献
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正We report a high power Ku band internally matched power amplifier(IMPA) with high power added efficiency(PAE) using 0.3μm AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) on 6H-SiC substrate.The internal matching circuit is designed to achieve high power output for the developed devices with a gate width of 4 mm.To improve the bandwidth of the amplifier,a T type pre-matching network is used at the input and output circuits,respectively.After optimization by a three-dimensional electromagnetic(3D-EM) simulator,the amplifier demonstrates a maximum output power of 42.5 dBm(17.8 W),PAE of 30%to 36.4%and linear gain of 7 to 9.3 dB over 13.8-14.3 GHz under a 10%duty cycle pulse condition when operated at V_(ds) = 30 V and V_(gs)=—4 V.At such a power level and PAE,the amplifier exhibits a power density of 4.45 W/mm. 相似文献