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1.
本文通过有关理论依据和试验数据,着重阐述了在显像(示)管测试中,阴极像中心黑洞状缺陷产生的原因以及消除这种缺陷的处理方法。通过这种处理方法处理过的显像(示)管,其整体质量水平(尤其是真空度)将会得到明显的提高。 相似文献
2.
3.
小型腔式微波离子源的研制 总被引:1,自引:1,他引:0
研制了1种用在离子束细胞刻蚀装置中的小型腔式微波离子源,它由石英放电管、同轴谐振腔和封装在管一端的二电极引出系统组成。该源由同轴腔激发起的表面波在石英管内产生等离子体柱。为了提高柱末端等离子体离子引出流密度,选用了在内径7.0mm直管的一端加上一内径5.0mm衬管的放电管。在微波频率为2.45GHz,输入功率为93W下,氮的引出流密度分别为48.4mA/cm2和91.7mA/cm2。这种表面波放电等离子体源体积小、结构简单,可在较宽的压强范围内产生重复性好、工作稳定的等离子体柱。 相似文献
4.
为了研究离子迁移率对直流线路合成电场与离子流密度分布的影响,计算了一定温度和湿度下,气压改变导致离子迁移率和导线起晕场强变化后,合成电场与离子流密度的分布变化.合成电场的控制方程为Poisson方程和电流连续性方程.使用的电极结构为一维圆柱电晕笼和二维±1100 kV双极输电线路结构.计算结果表明,在相同导线电压下,若离子迁移率增加约一半,同时起晕场强降低33%,电晕笼处的合成电场增强约80%,离子流密度增加约6倍.若离子迁移率平均增加16%,起晕场强降低16%,±1100 kV线路地面合成电场增强约一半,离子流密度增加约1.5倍. 相似文献
5.
直流输电线路的电磁环境问题与交流输电线路不同,主要考虑直流合成电场、离子流、直流磁场、无线电干扰(包括电视干扰)和可听噪声等.本文主要针对特高压直流线路合成电场和离子流密度进行探讨,深入理解特高压直流线路电磁环境. 相似文献
6.
直流离子流场发生装置对电场传感器在离子流场环境下的测试标定具有重要作用,传统直流离子流场发生装置体积较大难于满足新型电场传感器研制和便携式现场应用,对此该文研究了一种缩小尺寸直流离子流场发生装置。基于理论计算和有限元仿真对装置尺寸、结构等关键参数进行了优化设计。采用在平行板边缘处等分电位的方法减少了边缘效应影响,有效增大了平行板间均匀电场区域,减小了均匀性误差。实验结果表明,在电晕丝电压7 kV时离子流场内不同位置离子流电流强度的相对平均偏差仅为1.66%,说明缩小尺寸的直流离子流场发生装置能够提供均匀的离子流场环境。 相似文献
7.
8.
等离子喷涂送粉参量对粉末粒子运动行为的影响分析 总被引:3,自引:0,他引:3
为研究等离子喷涂设备送粉参量变化对粉末粒子运动行为的影响,通过数学计算给出了粉末粒子初速度及运行轨迹的一些解析计算结果.结果表明粉末粒子喷出初速度随送粉气流量的增大呈线性增大,随送粉管直径增大呈指数减小,而且与密度和粒径的指数幂成反比关系.当粉末粒子粒径为75μm时,Ni金属粉末的最佳送粉参量为:送粉气流量0.2m3/h,送粉管直径1.5mm;Al2O3陶瓷粉末最佳送粉参量为:送粉气流量0.3m3/h,送粉管直径1mm.该项研究工作为选择最佳送粉参量和控制粉末粒子在等离子流场中的运动提供了依据. 相似文献
9.
HVDC输电线路离子流场数值计算方法研究 总被引:1,自引:5,他引:1
为了解高压直流输电线路的电磁环境影响及电晕损耗,讨论了高压直流线路周围离子流场计算的数值方法。描述高压直流离子流场控制方程的三阶非线性偏微分方程分解为两个等效的泊松方程后可用有限元迭代方法求解即在每次求解后根据两场的计算结果更新空间电荷密度,反复迭代求解直至计算结果收敛。该算法舍弃了Kaptzov和Deutsch假设,并提出了一种有效的电荷密度更新公式,同时考虑两场电位差别、电场与边界条件的差别,使迭代较快收敛。通过与实验模型的测试结果对比,验证了算法的有效性。 相似文献