| 低温化学气相沉积SiC涂层沉积机理及微观结构 |
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| 引用本文： | 刘荣军,张长瑞,周新贵,刘晓阳,曹英斌.低温化学气相沉积SiC涂层沉积机理及微观结构[J].材料科学与工程学报,2004,22(1):15-19. |
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| 作者姓名： | 刘荣军 张长瑞 周新贵 刘晓阳 曹英斌 |
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| 作者单位： | 国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073 |
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| 摘 要： | 由MTS-H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了SiC涂层沉积速率和温度之间的关系,MTS-H2体系沉积反应的平均活化能为114kJ/mol,用理论模型证明了低温化学气相沉积SiC为动力学控制过程.SiC涂层表面的显微结构随沉积温度变化而呈现规律的变化:沉积温度T<1150℃时,CVD SiC涂层表面致密、光滑;T≥1150℃时,CVD SiC涂层表面变得疏松、粗糙.随着沉积温度的升高,CVD SiC涂层的结晶由不完整趋向于完整;当沉积温度T≥1150℃,CVD SiC涂层的XRD谱图中除了β-SiC占主体外还出现了少量α-SiC.
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| 关 键 词： | 沉积温度 化学相沉积 SiC涂层 机理 微观结构 低温 化学 气相沉积 涂层表面 沉积机理 微观结构 Low Temperature Coatings Microstructures Mechanism 主体 谱图 疏松 沉积温度 温度变化 规律 显微结构 控制过程 动力学 理论模型 |
| 文章编号： | 1004-793X(2004)01-0015-05 |
| 修稿时间： | 2003年6月1日 |
Deposition Mechanism and Microstructures of SiC Coatings Deposited at Low Temperature |
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| LIU Rong-jun,ZHANG Chang-rui,ZHOU Xin-gui,LIU Xiao-yang,CAO Ying-bin.Deposition Mechanism and Microstructures of SiC Coatings Deposited at Low Temperature[J].Journal of Materials Science and Engineering,2004,22(1):15-19. |
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| Authors: | LIU Rong-jun ZHANG Chang-rui ZHOU Xin-gui LIU Xiao-yang CAO Ying-bin |
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| Keywords: | low temperature CVD SiC coatings mechanism microstructure |
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