| 束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷 |
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| 引用本文： | 傅祥良,王伟强,于梅芳,乔怡敏,魏青竹,吴俊,陈路,巫艳,何力.束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷[J].激光与红外,2007,37(Z1). |
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| 作者姓名： | 傅祥良 王伟强 于梅芳 乔怡敏 魏青竹 吴俊 陈路 巫艳 何力 |
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| 摘 要： | 研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷,发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关.采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察,并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析.并设计了两个实验:其一,在CdTe/GaAs衬底上,低温下用Hg源照射20min,再在其上继续高温生长CdTe;其二,在CdTe/GaAs衬底上,一直用Hg源照射下高温生长CdTe.两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷,采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察,通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较,我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质.
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| 关 键 词： | HgCdTe 表面缺陷 分子束外延 HgCdTe 表面缺陷 Source Mercury Impurities Induced Surface Defects 成核 比较 光学显微镜 分布 形状 表面相 实验后 高温生长 照射 低温 设计 成分分析 横截面 |
Study of Surface Defects Induced by Impurities from Mercury Source on MBE-grown HgCdTe Epilayers |
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| FU Xiang-liang,WANG Wei-qiang,YU Mei-fang,QIAO Yi-min,WEI Qing-zhu,WU Jun,CHEN Lu,WU Yan,HE Li.Study of Surface Defects Induced by Impurities from Mercury Source on MBE-grown HgCdTe Epilayers[J].Laser & Infrared,2007,37(Z1). |
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| Authors: | FU Xiang-liang WANG Wei-qiang YU Mei-fang QIAO Yi-min WEI Qing-zhu WU Jun CHEN Lu WU Yan HE Li |
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