应对第三代红外焦平面技术挑战的HgCdTe分子束外延

叙述了围绕第三代红外焦平面的需求所进行的HgCdTe分子束外延的一些研究结果.75mm HgCdTe薄膜材料的组分均匀性良好,80K下截止波长偏差为0.1μm.对所观察到的HgCdTe表面缺陷成核机制进行了分析讨论,获得的75mm HgCdTe材料平均表面缺陷密度低于300cm-2.研究发现As的表面黏附系数很低,对生长温度十分敏感,在170℃下约为1×10-4.计算表明,As在HgCdTe中的激活能为19.5meV,且随(Na∑Nd)1/3的增大呈线性下降关系,反比系数为3.1×10-5meV·cm.实验发现Hg饱和蒸汽压下,对应不同的温度240,380,440℃,As在HgCdTe中的扩散系数分别为(1.0±0.9)×10-16,(8±3)×10-15,(1.5±0.9)×10-13cm2/s.采用分子束外延生长的HgCdTe材料已用于红外焦平面探测器件的研制,文中报道了一些初步结果.     

福建烤烟栽培季节议析

烤烟栽培季节的确定,既受自然条件和作物结构的制约,也受某些社会经济因素和烤烟品种特性、病虫害情况等的影响。科学地安排种植时期,不仅能使烤烟获得最佳的经济效益,而且轮作周期内各种作物也能取得较好的总体效应。一、几种种植制的消长福建烤烟产区属中亚热带和南亚热带农业气候区,水热资源丰富,农作物多为一年二熟或三熟。烤烟种植40年来,先后形成春烟、秋烟和冬烟三种种植制。大都实行了烟稻隔年     

HgCdTe分子束外延In掺杂研究

报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在～ 3× 10 1 5 cm- 3水平 .比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0℃温度下 In的扩散系数约为10 - 1 4 cm2 / s,并确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 n型掺杂剂的可用性和有效性 .     

分子束外延HgCdTe材料生长参数的实时监测研究

报道了用椭圆偏振技术和红外辐射测温技术对ＨｇＣｄＴｅ生长关键参数实时监测的结果，建立了ＨｇＣｄＴｅ材料在生长温度下的标准光学常数数据库，在研究中对生长过程中材料的发射率以及红外辐射强度进行了理论分析，为生长温度的实时精确控制提供了理论依据，并在实验上获得了小于±１℃的生长温度控制精度．     

As在HgCdTe分子束外延中的表面粘附系数

报道了用二次离子质谱分析 (SIMS)方法对As在碲镉汞分子束外延中的掺入行为的研究结果 .发现As在CdTe、HgCdTe表面的粘附系数很低 ,并与Hg的介入密切相关 .对于单晶HgCdTe外延 ,在 170℃生长温度下As的粘附率相对于多晶室温淀积仅为 3× 10 -4,在此生长温度下 ,通过优化生长条件获得了表面形貌良好的外延材料 .通过控制As束源炉的温度可以很好地控制As在HgCdTe层中的原子浓度 .     

分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片

报道了用分子束外延的方法制备 3英寸HgCdTe薄膜的研究结果 ,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好 ,在直径 70mm圆内 ,组份标准偏差率为 1.2 % ,对应 80K截止波长偏差仅为 0 .1μm .经过生长条件的改进 ,表面形貌获得了大幅度改善 ,缺陷密度小于 30 0cm-2 ,缺陷尺寸小于 10 μm ,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求     

CMOS流量传感器的传热特性分析

对ＣＭＯＳ流量传感器的传热特性进行了分析研究，提出在器件前后端之间采用隔热结构是提高器件灵敏度的一种有效方法，隔热槽长度是传感器灵敏度的关键参数。实验表明当隔热槽长度为１６５μｍ左右时，器件灵敏度最佳。     

气体传感器阵列

从气体传感器选择性和多功能化两个重要指标出发，指出气体传感器阵列与微处理机相结合，并通过模式识别技术，不仅能够解决交叉敏问题，提高器件的选择性，而且能够实现多功能化。     

“抢救”晒晾烟资源——关于补充征集烟草品种的意见

1979年2月在合肥召开的全国农作物品种资源科研工作会议,提出了目前我国品种资源研究工作的二十字方针:广泛收集,妥善保存,深入研究,积极创新,充分利用。这五个方面,从横的来说是品种资源研究的全部任务,从纵的来说又是品种资源研究的全过程。其中,广泛收集是品种资源工作的基础。如果不占有丰富的资源,其余四个方面就是空的。近十多年来,由于极左路线的严重影响,不仅中断了品种资源的考察和征集,而且有的地方使业已收集到的珍贵材料大量丢失。今后,随着经济和科学技术的发展,自然生态环境的改变,作物品种资源还将逐渐减少。因此,如不抓紧时机突击收集,许多宝贵材料可能从此绝迹     

束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷

研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷，发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关。采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察，并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析。并设计了两个实验：其一，在CdTe／GaAs衬底上，低温下用Hg源照射20min，再在其上继续高温生长CdTe；其二，在CdTe／GaAs衬底上，一直用Hg源照射下高温生长CdTe。两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷，采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察，通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较，我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质。