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| 用PECVD技术淀积PbTiO3薄膜 | |
| 引用本文： | 管玉国,戴国瑞.用PECVD技术淀积PbTiO3薄膜[J].功能材料,1997,28(1):59-61. |
| 作者姓名： | 管玉国 戴国瑞 |
| 作者单位： | 吉林大学电子工程系 |
| 摘 要： | 采用ＰＥＣＶＤ技术，以Ｐｂ（Ｃ２Ｈ５）、ＨｉＣｌ４和Ｏ２为反应源，在１７０℃温度下沉积了ＰｂＴｉＯ３功能薄膜，分别对薄膜进行了Ｘ射线荧光光谱、Ｘ光电子能谱、Ｘ射线衍射光谱和扫描电镜的化学组成及形貌等分析。 |
| 关 键 词： | 等离子体 CVD 钛酸铅 薄膜 |
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