| 4H-SiC功率MESFET的击穿特性 |
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| 引用本文： | 吕红亮,张义门,张玉明,杨林安.4H-SiC功率MESFET的击穿特性[J].半导体学报,2004,25(9):1132-1136. |
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| 作者姓名： | 吕红亮 张义门 张玉明 杨林安 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所 西安710071
(吕红亮，张义门，张玉明)，西安电子科技大学微电子所 西安710071(杨林安) |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 研究了4 H- Si C MESFET器件的电学击穿特性和热学稳定性.建立了金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型,分析了雪崩碰撞离化效应、隧穿效应和热效应在器件击穿中的作用.综合考虑了栅极偏置、自热效应等因素对击穿的影响.采用准静态方法,求解瞬态偏微分方程组,分析了器件的耐热耐压性能和可靠性
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| 关 键 词： | SiC 击穿特性 金属半导体场效应晶体管 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)09-1132-05 |
| 修稿时间： | 2003年9月19日 |
Breakdown Characteristics of 4H-SiC Microwave Power MESFETs |
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| Abstract: | A profound simulation study on the electrical breakdown characteristics and ther mal reliability is investigated.A two-dimensional numerical model for 4H-SiC MESFET is established and the effect of the avalanche and tunneling on the elect rical breakdown characteristics is analyzed.The dependence of breakdown voltage on gate bias,self-heating effect,and crystal orientation choice are also inves tigated systematically.For the transient and thermal reliability simulation,both the first-order backward difference formula (BDF1) and second-order backward differences formula (BDF2) are used to solve the extended matrix. |
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| Keywords: | silicon carbide breakdown chara cteristics MESFET |
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