| Flash存储管理的研究与设计 |
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| 引用本文： | 朱念好,周玉洁.Flash存储管理的研究与设计[J].计算机工程与设计,2010,31(3). |
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| 作者姓名： | 朱念好 周玉洁 |
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| 作者单位： | 上海交通大学,芯片与系统研究中心,上海,200240 |
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| 基金项目： | 国家创新研究群体科学基金项目 |
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| 摘 要： | 针对目前存储管理对大容量NAND Flash考虑的不足,在对大容量NAND Flash物理特性深入研究的基础上,实现了连续写与非连续写技术,提高了存储管理的效率.首先研究并实现了特有的状态信息描述方法,完全符合大容量MLC类型NAND Flash的物理特性,研究并实现了区域映射技术,适用于任何容量的闪存,并实现了连续写与非连续写技术,提高了写大文件的效率.实验结果表明,该方法在文件传输方面最大限度地挖掘了MLC类型NAND Flash的性能.
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| 关 键 词： | 闪存 存储管理 逻辑写 连续写 非连续写 |
Research and implementation of NAND flash memory management |
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| ZHU Nian-hao,ZHOU Yu-jie.Research and implementation of NAND flash memory management[J].Computer Engineering and Design,2010,31(3). |
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| Authors: | ZHU Nian-hao ZHOU Yu-jie |
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| Affiliation: | ZHU Nian-hao,ZHOU Yu-jie (Integrated Circuits , System Research Center,Shanghai Jiaotong University,Shanghai 200240,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | flash memory management logical writing continuous writing discontinuous writing |
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