| 3.1～10.6 GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计 |
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| 引用本文： | 王春华,戴普兴,杨凯.3.1～10.6 GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计[J].电路与系统学报,2010,15(1). |
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| 作者姓名： | 王春华 戴普兴 杨凯 |
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| 作者单位： | 湖南大学,计算机与通信学院,湖南,长沙,410082 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60776021);;湖南省高校创新平台开放基金项目(09k011) |
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| 摘 要： | 本文给出了一个低电压、低功耗增益连续可调CMOS超宽带低噪声放大器(Ultra-wideband Low Noise Amplifier,UWB LNA)设计。在0.85V工作电压下放大器的直流功耗约为10mW。在3.1～10.6GHz的超宽带频段内,增益S21为14±0.4dB,且随控制电压VC连续可调。输入、输出阻抗匹配S11、S22均低于-10dB,噪声系数(NF)最小值为3.3dB。设计采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺完成。
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| 关 键 词： | 低功耗 可调增益 超宽带 低噪声放大器 CMOS |
3.1～10.6 GHz CMOS ultra-wideband low noise amplifier |
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| WANG Chun-hua,DAI Pu-xing,YANG Kai.3.1～10.6 GHz CMOS ultra-wideband low noise amplifier[J].Journal of Circuits and Systems,2010,15(1). |
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| Authors: | WANG Chun-hua DAI Pu-xing YANG Kai |
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| Affiliation: | School of Computer and Communication;Hunan University;Changsha 410082;China |
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| Abstract: | The design of a low power CMOS variable gain UWB (Ultra-wideband) LNA (Low Noise Amplifier) is introduced in this paper. It is simulated using 0.18μm RF CMOS process. The results of the post-layout simulation show that with an ultra low supply voltage of 0.85V, the LNA consumes a low DC power of 10mW. The simulation results show that form 3.1 to 10.6 GHz, the gain S21 is 14±0.4dB, and it is variable. S11 and S22 are less than -10dB. The minimal NF is 3.3dB. |
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| Keywords: | low power variable gain UWB LNA CMOS |
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