| Mo/4H-SiC肖特基势垒二极管的研制 |
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| 引用本文： | 张发生,李欣然.Mo/4H-SiC肖特基势垒二极管的研制[J].半导体学报,2007,28(3):435-438. |
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| 作者姓名： | 张发生 李欣然 |
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| 作者单位： | 湖南大学电气与信息工程学院，长沙 410082; 中南林业科技大学电子与信息工程学院，长沙 410004;中南林业科技大学电子与信息工程学院，长沙 410004 |
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| 摘 要： | 采用微电子平面工艺,射频溅射Mo作肖特基接触,电子束热蒸发金属Ni作欧姆接触,三级场限环终端表面保护.并通过对Mo接触进行合理的高温退火,不降低理想因子和反向耐压特性情况下,有效控制肖特基势垒高度在1.2～1.3 eV范围内,成功研制出高耐压低损耗Mo/4H-SiC肖特基势垒二极管.其特性测试结果为:击穿电压Vb为3000V,串联导通电阻Ron为9.2mΩ·cm2,Vb2/Ron为978MW/cm2.
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| 关 键 词： | SiC Mo 肖特基二极管 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)03-0435-04 |
| 收稿时间： | 7/16/2006 8:39:17 PM |
| 修稿时间： | 9/30/2006 9:57:15 AM |
Mo/Schottky Barrier Diodes on 4H-Silicon Carbide |
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| Zhang Fasheng and Li Xinran.Mo/Schottky Barrier Diodes on 4H-Silicon Carbide[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(3):435-438. |
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| Authors: | Zhang Fasheng and Li Xinran |
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| Affiliation: | College of Electrical and Information Engineering,Hunan University,Changsha 410082, China; School of Electronic Information Engineering,Central South University of Forestry and Technology,Changsha 410004,China;School of Electronic Information Engineering,Central South University of Forestry and Technology,Changsha 410004,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC Mo Schottky barrier diode |
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