| 蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性 |
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| 引用本文： | 张志国,杨瑞霞,李丽,冯震,王勇,杨克武.蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性[J].半导体学报,2006,27(7):1255-1258. |
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| 作者姓名： | 张志国 杨瑞霞 李丽 冯震 王勇 杨克武 |
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| 作者单位： | [1]河北工业大学信息工程学院,天津300130 [2]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 |
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| 基金项目： | 科技部科研项目
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 通过台面隔离与注入隔离结合的方法,解决了由于GaN外延材料缓冲层质量差造成的AlGaN/GaN HFET击穿电压低的问题.通过优化的500℃/50s栅退火条件,改善Ni-AlGaN/GaN二极管特性,理想因子和势垒高度分别优化到1.5和0.87eV.通过改进AlGaN/GaN HFET制备工艺,得到提高器件输出功率的优化工艺,采用这一工艺制备的蓝宝石衬底总栅宽为1mm,器件在频率为8GHz时输出功率达到4.57W,功率附加效率为55.1%.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HFET 隔离 整流特性 退火 输出功率 蓝宝石衬底 AlGaN HFET 功率特性 Power Output Substrate 功率附加效率 频率 栅宽 工艺制备 优化工艺 输出功率 器件 制备工艺 改进 势垒高度 理想因子 二极管 改善 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)07-1255-04 |
| 修稿时间： | 2005年11月16日 |
Output Power of an AlGaN/GaN HFET on Sapphire Substrate |
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| Zhang Zhiguo,Yang Ruixi,Li Li,Feng Zhen,Wang Yong and Yang Kewu.Output Power of an AlGaN/GaN HFET on Sapphire Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(7):1255-1258. |
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| Authors: | Zhang Zhiguo Yang Ruixi Li Li Feng Zhen Wang Yong and Yang Kewu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HFET isolation rectified performance annealing output power |
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