| 基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计 |
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| 引用本文： | 李佳,张万荣,谢红云,张蔚,沈佩,甘军宁.基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计[J].半导体技术,2008,33(5):425-428. |
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| 作者姓名： | 李佳 张万荣 谢红云 张蔚 沈佩 甘军宁 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,电子信患与控制工程学院,北京,100022;北京工业大学,电子信患与控制工程学院,北京,100022;北京工业大学,电子信患与控制工程学院,北京,100022;北京工业大学,电子信患与控制工程学院,北京,100022;北京工业大学,电子信患与控制工程学院,北京,100022;北京工业大学,电子信患与控制工程学院,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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北京市教委科技发展计划项目
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北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目
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北京市优秀人才培养基金
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北京工业大学校科研和教改项目
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北京市自然科学基金 |
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| 摘 要： | 基于IEEE802.11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计.为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法.选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪声系数、增益等各项指标进行了仿真.最终在频率为5.2 GHz下,LNA噪声系数F为1.5 dB,增益S21达到12.6 dB,输入、输出反射系数S11和|S22较好,在工作频带内小于-10 dB,LNA性能良好.
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| 关 键 词： | 硅锗异质结双极型晶体管 低噪声放大器 IEEE802.11a |
| 文章编号： | 1003-353X(2008)05-0425-03 |
| 修稿时间： | 2007年11月23 |
Design of SiGe HBT Low-Noise Amplifier Based on IEEE802.11a |
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| Li Jia,Zhang Wanrong,Xie Hongyun,Zhang Wei,Shen Pei,Gan Junning.Design of SiGe HBT Low-Noise Amplifier Based on IEEE802.11a[J].Semiconductor Technology,2008,33(5):425-428. |
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| Authors: | Li Jia Zhang Wanrong Xie Hongyun Zhang Wei Shen Pei Gan Junning |
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| Affiliation: | Li Jia,Zhang Wanrong,Xie Hongyun,Zhang Wei,Shen Pei,Gan Junning (School of Electronic Information , Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China) |
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| Abstract: | Based on the criteria of IEEE 802.11a,a novel design of SiGe HBT LNA(low noise amplifier)was presented.In order to meet the standard of the criteria,the methods for optimizing noise,power gain and stability were given.In the circuit design,the SiGe HBTs were chosen as active devices,T-type impedance match network was used for input and output.All parameters were simulated with ADS-2006A.The noise figure F is 1.5 dB,power gain is 12.6 dB at 5.2 GHz,and S11 and S22 are good,reaching-10 dB in the operation fre... |
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| Keywords: | SiGe HBT LNA IEEE802 11a |
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