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EIS型半导体生化传感器EI界面势的理论模拟
引用本文:贾芸芳,牛文成,张福海,刘国华,俞梅.EIS型半导体生化传感器EI界面势的理论模拟[J].半导体学报,2005,26(11):2196-2201.
作者姓名:贾芸芳  牛文成  张福海  刘国华  俞梅
作者单位:南开大学信息技术科学学院 微电子系,天津 300071;南开大学信息技术科学学院 微电子系,天津 300072;南开大学信息技术科学学院 微电子系,天津 300073;南开大学信息技术科学学院 微电子系,天津 300074;南开大学信息技术科学学院 微电子系,天津 300075
摘    要:建立了较完整的适用于EIS(electrolyte insulator semiconductor)型生化传感器的EI界面势理论模型,在此基础上开发了EI界面的计算机辅助分析程序,对EI界面中双电层电势分布、带电格点密度、EI界面势进行了深入的定量分析,最后将EI界面势模拟结果与ISFET(ion sensitive field effect transistor)的实测结果进行了比较,进一步验证了文中的理论模型.

关 键 词:半导体生化传感器  EI界面势模型  计算机辅助分析  半导体  生化传感器  界面势  理论模拟  Sensor  Biochemical  Semiconductor  Voltage  验证  比较  实测结果  sensitive  field  effect  transistor  ISFET  模拟结果  定量分析  点密度  电势分布  双电层
文章编号:0253-4177(2005)11-2196-06
收稿时间:2005-02-02
修稿时间:2005-06-22

Simulation of EI-Interface Voltage in an EIS-Type Semiconductor Biochemical Sensor
Jia Yunfang,Niu Wencheng,Zhang Fuhai,Liu Guohua and Yu Mei.Simulation of EI-Interface Voltage in an EIS-Type Semiconductor Biochemical Sensor[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(11):2196-2201.
Authors:Jia Yunfang  Niu Wencheng  Zhang Fuhai  Liu Guohua and Yu Mei
Affiliation:Department of Microelectronics, Nankai University,Tianjin 300071, China;Department of Microelectronics, Nankai University,Tianjin 300072, China;Department of Microelectronics, Nankai University,Tianjin 300073, China;Department of Microelectronics, Nankai University,Tianjin 300074, China;Department of Microelectronics, Nankai University,Tianjin 300075, China
Abstract:An EI(electrolyte insulator)-interface voltage model suitable for EIS(electrolyte insulator semiconductor) sensor is proposed.Based on this model a CAA program is developed.Using this program,the voltage distribution of the double layer,density of electriferous sites, and EI-interface voltage are quantificationally analyzed.Finally, to certify this model,the contrast of the simulated results with the experiment data of ISFET (ion sensitive field effect transistor) is given.
Keywords:semiconductor biochemical sensor  EI interface voltage model  CAA
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