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| 4H-SiC功率MESFET的击穿特性 | |
| 引用本文： | 吕红亮,张义门,张玉明,杨林安.4H-SiC功率MESFET的击穿特性[J].半导体学报,2004,25(9). |
| 作者姓名： | 吕红亮 张义门 张玉明 杨林安 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所,西安,710071 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 研究了4H-SiC MESFET器件的电学击穿特性和热学稳定性.建立了金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型,分析了雪崩碰撞离化效应、隧穿效应和热效应在器件击穿中的作用.综合考虑了栅极偏置、自热效应等因素对击穿的影响.采用准静态方法,求解瞬态偏微分方程组,分析了器件的耐热耐压性能和可靠性. |
| 关 键 词： | SiC 击穿特性 金属半导体场效应晶体管 |
Breakdown Characteristics of 4H-SiC Microwave Power MESFETs |
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| Keywords: | |
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