首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

功率半导体应用专栏(连载)(十二)应用于反激变换器中的BIMOSFET的相关性能
作者姓名:RalphLocher
摘    要:反激变换器的一个典型应用场合是在逆变器中给IGBT的驱动提供辅助电源。此时反激变换器的开关管需要有比较高的击穿电压和快的开关速度。为了降低开关损耗,开通和关断的能量也要小。BIMOSFET的一个主要的优点就是它的开通损耗小,另外它的导通损耗也比较小。把MOSFET和BIMOSFET对比来看,BIMOSFET的损耗大概要小35%左右。

关 键 词:反激变换器  相关性能  功率半导体  开关管  MOSFET  开关速度  击穿电压  导通损耗  逆变器  开关损耗
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号