首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
功率半导体应用专栏(连载)(十二)应用于反激变换器中的BIMOSFET的相关性能
作者姓名:
RalphLocher
摘 要:
反激变换器的一个典型应用场合是在逆变器中给IGBT的驱动提供辅助电源。此时反激变换器的开关管需要有比较高的击穿电压和快的开关速度。为了降低开关损耗,开通和关断的能量也要小。BIMOSFET的一个主要的优点就是它的开通损耗小,另外它的导通损耗也比较小。把MOSFET和BIMOSFET对比来看,BIMOSFET的损耗大概要小35%左右。
关 键 词:
反激变换器
相关性能
功率半导体
开关管
MOSFET
开关速度
击穿电压
导通损耗
逆变器
开关损耗
本文献已被
维普
等数据库收录!
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号