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ZrO2掺杂SnO2厚膜的制备及其气敏性能研究
引用本文:吉向东,杨纪青,王汉忠,方国家.ZrO2掺杂SnO2厚膜的制备及其气敏性能研究[J].郑州轻工业学院学报(自然科学版),2000,15(4):56-58.
作者姓名:吉向东  杨纪青  王汉忠  方国家
作者单位:1. 襄樊学院,物理系,湖北,襄樊,441053
2. 襄樊学院,电气信息工程系,湖北,襄樊,441053
3. 襄樊学院,物理系,湖北,襄樊,441053;华中科技大学,物理系,湖北,武汉,430074
基金项目:湖北省教育厅基金资助项目(97A085)
摘    要:采用化学共沉淀法成功地制备了ZrO2掺杂的SnO2超微粉,用丝绸印刷法制备了厚膜型气敏传感材料,并制成了平面型气敏元件.研究了不同掺杂量、不同烧结温度的厚膜材料的气敏性能.实验表明掺杂降低了纯SnO2厚膜的电阻及敏感温区的温度,并且烧结温度对气敏性能影响较大.在200℃下,掺杂量为1%的ZrO2-SnO2厚膜对浓度为2×10-5的H2S气体具有较好的灵敏度(β=5.2),响应恢复时间均<1 min.

关 键 词:厚膜  气敏器件  烧结  超微粉  氧化锆  氧化锡
文章编号:1004-1478(2000)04-0056-03
修稿时间:2000年7月10日

Preparation of ZrO2-SnO2 thick films and their gas sensitivities
Abstract:
Keywords:
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