Preparation and properties of nano-sized SnO2 powder

1　INTRODUCTIONSnO2isoneofthemainmaterialsusedingassensor.Becauseofthehumidityandgassensingfunction,itattractsmoreandmoreattentions.Butthepresentproblemishowtoimprovethestabilityandsensibilityofgassensor.Researchershavetakenmanymeasurestoresolvethisproble…     

SnO2超微粒子薄膜的气敏特性研究

作者用自行设计的直流气体放电活化反应蒸发装置制备出平均粒径约为40nm的SnO_2超微粒子薄膜.研究了不同氧分压下所得SnO_2超微粒膜的形貌、结构和组成等特性,以及不同样品对各种易燃气体的气敏特性,得出了灵敏度随氧分压及灵敏度随工作温度的变化曲线.     

CuO—SnO2纳米晶粉料的Sol—Gel制备及表征

不用金属醇盐而以无起始物质，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｋ法得到了平均晶粒尺寸为２１－２２ｎｍＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ２粉料；运用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），差热－失重分析（ＤＴＡ－ＴＧ），透射电镜（ＴＥＭ）及ＢＥＴ比表面（ＳＡ）测定等分析手段对粉料进行了表征，实验表明，ＣｕＯ的掺杂抑制了ＳｎＯ２晶粒的生长，以无机盐为原料，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制取ＳｎＯ２（ＣｕＯ）纳米级晶料是切实可行的，将有利于产业化。     

磁控反应溅射制备氧化锡膜的工艺研究

介绍了磁控反应溅射制备氧化锡薄膜时，反应气体氧流量对放电参数、薄膜沉积速率及沉积膜性能的影响。指出随氧流量的不同，放电分别处于金属溅射、过渡溅射和氧化物溅射三种不同的模式。三种模式下的放电电压及沉积速率均有较大差别，相应的沉积膜依次具有金属相、金属及氧化物混合相和氧化物相三种不同属性。     

氧化锡基ZnO／SnO2UPF复合工艺对其微观结构的影响

着重讨论了用直流气体放电活化反应蒸发沉积法制备的氧化锡基ＺｎＯ／ＳｎＯ２超微粒子薄膜（ＵＰＦ）的制备工艺对其物相结合及表面形貌等影响。结果表明：复合型薄膜上层的ＺｎＯＵＰＦ比单层薄膜的ＺｎＯＦＵＰＦ致密；主要晶相成分为ＳｎＯ２相，并沿（００２）、（１１０）、（１０１）等晶面择优生长；ＺｎＯ相呈非晶态结构。     

溶胶–凝胶法制备ATO-SiO_2抗静电复合薄膜的特性研究

采用两步溶胶–凝胶法制备出 ATO(掺锑氧化锡)-SiO_2复合抗静电薄膜。通过 DTA-TG、XRD、SEM 对 薄膜的结构和形貌进行了表征,结果表明:抗静电复合薄膜表面均匀致密。薄膜中 SiO_2为无定形结构,ATO 的衍射峰 与 SnO_2一致。研究了 SnO_2的含量对薄膜导电性能、结合强度和透过率的影响,发现随 SnO_2含量增加 ?(SnO_2/ SiO_2)从 5 至 12.5,薄膜的表面电阻降低(从 1010ù/□降低到 108ù/□),薄膜的结合强度下降,薄膜的透过率降低(从 89.0%降至 84.2%),结合三方面性能,得出最佳 SnO_2的配比为:?(SnO_2/ SiO_2)=10。     

热处理对制备纳米氧化铟锡(ITO)粉末的影响

以共沸蒸馏工艺辅助的共沉淀法制备了纳米氧化铟-氧化锡（ITO）粉体，研究了不同热处理温度对制备粉体的影响，结果表明，随着热处理温度的提高，粉体发生从四方结构向体心立方结构转变，晶粒出现长大现象，比表面积变化明显，化学组分保持高纯状态，综合比较，在700～800℃进行热处理可以得到尺寸均匀，晶形完整的纳米级粉体。     

电致变色器件中WO3薄膜厚度的选择

WO3(三氧化钨)薄膜厚度的选择对电致变色器件性能有至关重要的作用。通过TFCalc软件理论计算WO3薄膜褪色态、着色态透过光谱及其光学调制幅度变化;通过在FTO(氧化锡掺氟)玻璃上制备氧化钨薄膜,研究分析不同厚度氧化钨晶体结构与光学调制幅度相关性。对比研究发现:WO3厚度的选择应根据着色态透过率和实际的光学调制幅度确定,光学理论计算WO3薄膜的调制幅度有一定的局限性,这与晶态WO3薄膜的结构发生变化有关。     

银氧化锡触头制备工艺对比及其电弧侵蚀特性综述

介绍了银氧化锡触头在不同制备工艺下的基本原理以及合成方法,从每种合成方法的基础上提出了改良制备工艺,并介绍了近些年使用的新型制备工艺,分析了每种制备工艺的优缺点.总结了银氧化锡的电弧侵蚀机理与模型、电弧侵蚀形状外貌特征以及抗电弧侵蚀特性.并对未来银基材料的发展方向以及研究新的复合材料提出了展望.