| 基于实验与物理分析的4H-SiC射频功率MESFET大信号非线性精确电容模型 |
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| 引用本文： | 杨林安,张义门,张玉明.基于实验与物理分析的4H-SiC射频功率MESFET大信号非线性精确电容模型[J].半导体学报,2002,23(2):188-192. |
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| 作者姓名： | 杨林安 张义门 张玉明 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国防预研基金;8.1.7.3; |
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| 摘 要： | 采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法,并结合Statz、Angelov等经验模型的描述方法,提出了常温下针对4H-SiC射频功率MESFET的大信号非线性电容模型.此模型在低漏源偏压区对栅源电容Cgs强非线性的描述优于Statz、Angelov等经验模型,计算量也远低于基于器件物理特性的数值模型,因而适合于大信号的电路设计与优化.
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| 关 键 词： | 4H-SiC 射频功率MESFET 非线性大信号模型 电容模型 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)02-0188-05 |
| 修稿时间： | 2001年5月6日 |
An Accurate Large-Signal Capacitance Model for RF Power Measurement and Physical Analysis on 4H-SiC MESFET |
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| Yang Lin''''an,Zhang Yimen and Zhang Yuming.An Accurate Large-Signal Capacitance Model for RF Power Measurement and Physical Analysis on 4H-SiC MESFET[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(2):188-192. |
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| Authors: | Yang Lin'an Zhang Yimen and Zhang Yuming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 4H SiC RF power MESFET nonlinear large signal model capacitance model |
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