| A 162GHz Self-Aligned InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor |
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| 作者姓名： | Yu Jinyong Yan Beiping Su Shubing Liu Xunchun Wang Runmei Xu Anhuai Qi Ming Liu Xinyu |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 200050;中国科学院微电子研究所，北京 100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流Ic=34.2mA的条件下,发射极面积为0.8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz,最大振荡频率fmax为52GHz,最大直流增益为120,偏移电压为0.10V,击穿电压BVCEO达到3.8V(Ic=0.1μA).这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器.
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| 关 键 词： | 磷化铟 异质结双极型晶体管 自对准 InP HBT self-aligned 自对准 InGaAs 异质结双极型晶体管 Bipolar Transistor converters device applications typical breakdown voltage offset maximum gain size emitter single heterojunction bipolar transistor cutoff frequency 模拟数字转换器 接收机 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)10-1732-05 |
| 收稿时间： | 02 24 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 5/31/2006 2:17:24 PM |
A 162GHz Self-Aligned InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor |
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| Yu Jinyong,Yan Beiping,Su Shubing,Liu Xunchun,Wang Runmei,Xu Anhuai,Qi Ming,Liu Xinyu.A 162GHz Self-Aligned InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(10):1732-1736. |
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| Authors: | Yu Jinyong Yan Beiping Su Shubing Liu Xunchun Wang Runmei Xu Anhuai Qi Ming and Liu Xinyu |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InP HBT self-aligned |
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