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图形化氧化锌纳米线的合成和场发射性能研究
引用本文:张永爱,吴朝兴,郑泳,郭太良.图形化氧化锌纳米线的合成和场发射性能研究[J].半导体学报,2012,33(2):023001-5.
作者姓名:张永爱  吴朝兴  郑泳  郭太良
作者单位:福州大学 物理与信息工程学院,福州大学 物理与信息工程学院,福州大学 物理与信息工程学院,福州大学 物理与信息工程学院
基金项目:Project supported by the National High Technology Research and Development Program for Advanced Materials of China (No. 2008AA03A313) and the Technology Projects of Department of Education, Fujian Province, China (Nos. JA09017, JA11014).
摘    要:通过简单的热蒸发在ITO电极上合成图形化氧化锌纳米线,利用SEM,XRD,EDX和PL光谱分析氧化锌纳米线的表面形貌、微观结构和光学特性,并测试其场发射性能。SEM表明,ZnO纳米线的直径约为100-200nm,长度大于5um,且均匀长在ITO电极表面。场发射测试表明,图形化ZnO纳米线的开启电场和阈值电场分别为1.6 V/m和4.92 V/m,在电场强度为5.38 V/m时发射电流高达 2.26 mA/cm2,经4.5h场发射测试后发射电流的浮动低于5%。低的开启电场、高的发射电流和好的稳定性表明图形化氧化锌纳米线是一种应用前景广阔的场发射材料。

关 键 词:氧化锌纳米线  场发射特性  图案  合成  高电流密度  扫描电子显微镜  ITO电极  X射线照片
修稿时间:9/19/2011 8:46:29 AM

Synthesis and efficient field emission characteristics of patterned ZnO nanowires
Zhang Yongai,Wu Chaoxing,Zheng Yong and Guo Tailiang.Synthesis and efficient field emission characteristics of patterned ZnO nanowires[J].Chinese Journal of Semiconductors,2012,33(2):023001-5.
Authors:Zhang Yongai  Wu Chaoxing  Zheng Yong and Guo Tailiang
Affiliation:College of Physics and Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350002, China;College of Physics and Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350002, China;College of Physics and Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350002, China;College of Physics and Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350002, China
Abstract:
Keywords:zinc oxide  nanowires  patterned growth  field emission
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