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Ti/Al/Ti/Au与AlGaN欧姆接触特性
引用本文:张锦文,张太平,王玮,宁宝俊,武国英.Ti/Al/Ti/Au与AlGaN欧姆接触特性[J].半导体学报,2001,22(6).
作者姓名:张锦文  张太平  王玮  宁宝俊  武国英
作者单位:北京大学微电子研究所,北京 100871
摘    要:研究了溅射Ti/Al/Ti/Au四层复合金属与AlGaN/GaN的欧姆接触特性,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究.试验证实:溅射的Ti/Al/Ti/Au与载流子浓度为2.24×1018cm-3的AlGaN之间在室温下无需退火即可形成欧姆接触.随快速退火温度的升高接触电阻降低.快速退火时间30s已可实现该温度下最佳欧姆接触.当工作温度不高于300℃时接触电阻几乎不受温度的影响.

关 键 词:AlGaN  Ti/Al/Ti/Au  欧姆接触

Ohmic Contact Performance Between Ti/Al/Ti/Au and AlGaN
Abstract:
Keywords:
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