| 陷阱效应对4H-SiC MESFET温度特性的影响 |
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| 引用本文： | 吕红亮,张义门,张玉明,车勇,王悦湖.陷阱效应对4H-SiC MESFET温度特性的影响[J].半导体学报,2008,29(2). |
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| 作者姓名： | 吕红亮 张义门 张玉明 车勇 王悦湖 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学微电子学院,教育部宽禁带半导体重点实验室,西安,710071
2. 武警工程学院军械运输系,西安,710086 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，应用材料创新基金 |
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| 摘 要： | 针对4H-SiC射频MESFET中的自热效应,建立了基于解析模型的材料参数温度模型和器件直流模型.研究了由陷阱造成的背栅效应,并结合材料的温度特性分析了温度升高对器件特性的影响.分析了陷阱对器件特性的影响,并进一步阐明了陷落-发射机制.计算得到陷阱能级为1.07eV,俘获截面为1×10-8cm2,器件的自升温达到100K以上,能够较好地反映实验结果.分析结果表明,背栅电势随陷阱浓度的增大而增大,并随着漏极电压的增大而减小,在室温下达到～3V.另外,由于器件中存在自热效应,背栅电势随漏压的变化加剧.这些模拟分析对实际器件的设计及工艺制造提供了理论上的依据.
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| 关 键 词： | SiC MESFET 自热效应 深能级陷阱 |
Influence of the Trapping Effect on Temperature Characteristics in 4H-SiC MESFETs |
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| Lü Hongliang,Zhang Yimen,Zhang Yuming,Che Yong,Wang Yuehu.Influence of the Trapping Effect on Temperature Characteristics in 4H-SiC MESFETs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(2). |
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| Authors: | Lü Hongliang Zhang Yimen Zhang Yuming Che Yong Wang Yuehu |
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