| X波段高输出功率凹栅AlGaN/GaN HEMT |
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| 引用本文： | 冯震,张志国,王勇,默江辉,宋建博,冯志红,蔡树军,杨克武.X波段高输出功率凹栅AlGaN/GaN HEMT[J].半导体学报,2007,28(11):1773-1776. |
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| 作者姓名： | 冯震 张志国 王勇 默江辉 宋建博 冯志红 蔡树军 杨克武 |
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| 作者单位： | 专用集成电路国家级重点实验室，石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051;专用集成电路国家级重点实验室，石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051;西安电子科技大学微电子学院，西安 710071;专用集成电路国家级重点实验室，石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051;专用集成电路国家级重点实验室，石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051;专用集成电路国家级重点实验室，石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051;专用集成电路国家级重点实验室，石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051;专用集成电路国家级重点实验室，石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051;专用集成电路国家级重点实验室，石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051 |
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| 基金项目： | 国家基础研究重大项目基金 |
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| 摘 要： | 使用自主研制的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制出高输出功率AlGaN/GaN HEMT,优化了器件研制工艺,比接触电阻率小于1.0×10-6Ω·cm2,电流崩塌参量小于10%,击穿电压大于80V.小栅宽器件工作电压达到40V,频率为8GHz时输出功率密度大于10W/mm.栅宽为2mm单胞器件,工作电压为28V,频率为8GHz时,输出功率为12.3W,功率增益为4.9dB,功率附加效率为35%.四胞内匹配总栅宽为8mm器件,工作电压为27V时,频率为8GHz时,输出功率为33.8W,功率增益为6.3dB,功率附加效率为41.77%,单胞器件和内匹配器件输出功率为目前国内该器件输出功率的最高结果.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT 高输出功率 内匹配器件 波段 高输出功率 AlGaN HEMT Band Output Power 结果 内匹配 功率附加效率 功率增益 单胞 输出功率密度 频率 工作电压 栅宽 击穿电压 参量 电流崩塌 比接触电阻率 研制工艺 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)11-1773-04 |
| 修稿时间： | 5/29/2007 9:42:17 AM |
A Recessed AlGaN/GaN HEMT with High Output Power in the X Band |
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| Feng Zhen,Zhang Zhiguo,Wang Yong,Mo Jianghui,Song Jianbo,Feng Zhihong,Cai Shujun and Yang Kewu.A Recessed AlGaN/GaN HEMT with High Output Power in the X Band[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(11):1773-1776. |
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| Authors: | Feng Zhen Zhang Zhiguo Wang Yong Mo Jianghui Song Jianbo Feng Zhihong Cai Shujun and Yang Kewu |
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| Affiliation: | The National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China ;The 13th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050051,China;The National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China ;The 13th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050051,China ;School of Microelectronics,Xidian University,Xi'an 710071,China;The National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China ;The 13th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050051,China;The National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China ;The 13th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050051,China;The National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China ;The 13th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050051,China;The National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China ;The 13th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050051,China;The National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China ;The 13th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050051,China;The National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China ;The 13th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050051,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMT high output power density internally matched device |
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