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一种带输出缓冲的低温度系数带隙基准电路
引用本文:陈磊, 李萌, 张润曦, 赖宗声, 俞建国,.一种带输出缓冲的低温度系数带隙基准电路[J].电子器件,2008,31(3):820-823.
作者姓名:陈磊  李萌  张润曦  赖宗声  俞建国  
作者单位:华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海,200062
基金项目:上海市科委资助项目 , 江苏省专用集成电路设计重点实验室项目
摘    要:基于TSMC 0.18μm标准CMOS标准工艺,提出了一种低温度系数,宽温度范围的带隙基准电压电路,该电路具有高电源抑制比,启动快及宽电源电压工作区域的优点,由于具备输出缓冲,可提供较低的输出阻抗及较高的电流负载能力.电路在-40℃到 110℃的温度变化范围内,基准电压为2.302 0 V±0.001 5 V,温度系数仅为7.25×10-6/℃(-40℃到 110℃时),PSRR为64 dB(11 kHz处),电源电压变化范围为1.6~4.3 V,输出噪声为5.018μV/平方根Hz(1 kHz处).

关 键 词:带隙基准  低温度系数  PTAT电路  电源抑制比  压控振荡器  输出缓冲  低温度系数  带隙  基准电路  Buffer  Output  Bandgap  Voltage  Reference  平方根  输出噪声  电压变化  电源电压  PSRR  宽温度范围  温度变化  负载能力  电流  输出阻抗  工作区域  启动  高电源抑制比
文章编号:1005-9490(2008)03-0820-04
修稿时间:2007年5月14日

A Low Temperature Coefficient Bandgap Voltage Reference with Output Buffer
CHEN Lei,LI Meng,ZHANG Run-xi,LAI Zong-sheng,YU Jian-guo.A Low Temperature Coefficient Bandgap Voltage Reference with Output Buffer[J].Journal of Electron Devices,2008,31(3):820-823.
Authors:CHEN Lei  LI Meng  ZHANG Run-xi  LAI Zong-sheng  YU Jian-guo
Affiliation:CHEN Lei,LI Meng,ZHANG Run-xi,LAI Zong-sheng,YU Jian-guo(Institute of Microelectronic Circuit , System,Eastchina Normal University,Shanghai 200062,China)
Abstract:
Keywords:bandgap reference  low temperature coefficient  PTAT  PSRR  VCO  
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