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改进型双频段低噪声放大器设计
引用本文:徐胜军,程知群,朱雪芳,高俊君.改进型双频段低噪声放大器设计[J].电子器件,2010,33(2):174-177.
作者姓名:徐胜军  程知群  朱雪芳  高俊君
作者单位:杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018
基金项目:国家自然科学基金资助(60776052)
摘    要:设计了一种电流复用结构的双频段低噪声放大器,其中心频率为900 MHz和1 900 MHz。为减少芯片面积和提高电路性能,给出了一种改进的输入端和级间匹配网络,利用小电感LC网络代替大电感的栅极电感Lg和级间电感Ld1。仿真结果表明:该低噪放在两个需要的频带内功率增益(S21)大于16.0 dB;输入反射系数(S11)小于-18.6 dB;输出反射系数(S22)小于-12 dB;反向隔离(S12)小于-40 dB;噪声系数(NF)小于2.8 dB;线性度(IP3)大于-9.5 dBm。设计采用SMIC 0.18μmCMOS工艺,功耗为8.64 mW,电源电压1.8 V。

关 键 词:低噪声放大器  双频段  并联LC网络  电流复用  

Design of an Advanced Dual-Band Low Noise Amplifier
CHENG Zhiqun,XU Shengjun,ZHU Xuefang,GAO Junjun.Design of an Advanced Dual-Band Low Noise Amplifier[J].Journal of Electron Devices,2010,33(2):174-177.
Authors:CHENG Zhiqun  XU Shengjun  ZHU Xuefang  GAO Junjun
Affiliation:Key Lab.of RF Circuit and System;Ministry of Education;Hangzhou Dianzi University;Hangzhou 310018;China
Abstract:A dual-band current reuse low noise amplifier(LNA) with the center frequencies of 900 MHz and 1 900 MHz respectively is designed.The advanced input and inter-stage matching networks of dual-band LNA are proposed in order to reduce chip size and improve performance of LNA,where LC network with small inductor is adopted instead of gate and inter-stage inductors with large inductance value.The simulation results show that the LNA has the power gain(S21) of more than 16.0 dB,input response(S11) of less than-18....
Keywords:LNA  dual-band  parallel LC network  current reuse  
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