| 基于低功耗约束的CMOS LNA的优化设计 |
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| 引用本文： | 刘高辉,张金灿.基于低功耗约束的CMOS LNA的优化设计[J].电子器件,2009,32(6):1062-1066. |
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| 作者姓名： | 刘高辉 张金灿 |
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| 作者单位： | 西安理工大学电子工程系,西安,710048 |
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| 基金项目： | 西安理工大学基金项目资助 |
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| 摘 要： | 针对低功耗电路发展的趋势,在传统的共源共栅结构基础上,同时引入实现噪声优化的PCSNIM技术和提高增益的级间匹配技术,通过合理调节晶体管的尺寸实现了低功耗的指标.电路采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺进行设计,模拟结果表明,在2.45 GHz工作频率下,输入输出匹配良好,增益为14.274 dB,噪声系数为0.669 dB,1 dB压缩点为-16.1 dBm,IIP3为-4.858 dBm,直流功耗仅2.628 mW.
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 低功耗 噪声分析 阻抗匹配 |
A optimization design of CMOS LNA based on low-power restriction |
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| LIU Gaohui,ZHANG Jincan.A optimization design of CMOS LNA based on low-power restriction[J].Journal of Electron Devices,2009,32(6):1062-1066. |
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| Authors: | LIU Gaohui ZHANG Jincan |
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| Affiliation: | LIU Gaohui*,ZHANG JincanDepartment.of Electronic Engineering,Xi'an University of Technology,Xi'an 710048,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LNA low power noise analysis impedance match |
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