| 1.3 μm InGaNAs/GaAs多量子阱"一镜斜置三镜腔"光探测器 |
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| 引用本文： | 徐玉峰,黄永清,黄辉,倪海桥,牛智川,任晓敏.1.3 μm InGaNAs/GaAs多量子阱"一镜斜置三镜腔"光探测器[J].光电子．激光,2009,20(1). |
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| 作者姓名： | 徐玉峰 黄永清 黄辉 倪海桥 牛智川 任晓敏 |
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| 作者单位： | 徐玉峰,黄永清,黄辉,任晓敏,XU Yu-feng,HUANG Yong-qing,HUANG Hui,REN Xiao-min(北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876);倪海桥,牛智川,NI Hai-qiao,NIU Zhi-chuan(中科院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083)
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，国际科技合作重点项目，高等学校学科创新引智计划 |
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| 摘 要： | 报道了一种基于InGaNAs/CmAs多量子阱的1.3μm GaAs基"一镜斜置三镜腔"光探测器,采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上直接生长高质量的GaAl/AIAs分布布拉格反射镜(DBR)和InOaNAs/GaAs多量子阱吸收层,实现了单片集成的GaAs基长波长"一镜斜置三镜腔"光探测器.探测器的峰值响应波长位于1298.4 nm,光谱响应线宽(FWHM)为1.0 nm,量子效率为3%,在零偏压下其暗电流密度为3.75×10 13A/μm2.
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| 关 键 词： | 光探测器 多量子阱 |
Multi-quantum-well InGaNAs/GaAs one mirror inclined three-mirror cavity photodetector operating at 1.3 μm |
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| XU Yu-feng,HUANG Yong-qing,HUANG Hui,NI Hai-qiao,NIU Zhi-chuan,REN Xiao-min.Multi-quantum-well InGaNAs/GaAs one mirror inclined three-mirror cavity photodetector operating at 1.3 μm[J].Journal of Optoelectronics·laser,2009,20(1). |
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| Authors: | XU Yu-feng HUANG Yong-qing HUANG Hui NI Hai-qiao NIU Zhi-chuan REN Xiao-min |
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| Affiliation: | 1.Key Laboratory of Optical Communication and Lightwave Technologies;EMC;Beijing University of Posts and Telecommunications;Beijing 100876;China;2.State Key Laboratory on Integrated Optoelect Ronics;Institute of Semiconductors;CAS;Beijing 100083;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaNAs/GaAs |
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