| 基于Bphen:BCP:Cs2CO3作为电子传输层的OLED性能研究 |
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| 引用本文： | 杜帅,张方辉.基于Bphen:BCP:Cs2CO3作为电子传输层的OLED性能研究[J].光电子．激光,2017,28(1):19-24. |
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| 作者姓名： | 杜帅 张方辉 |
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| 作者单位： | 陕西科技大学 电气与信息工程学院,陕西 西安 710021;陕西科技大学 电气与信息工程学院,陕西 西安 710021 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61076066)；陕西省科技统筹创新工程计划项目(2011KTCQ01-09)资助项目 (陕西科技大学 电气与信息工程学院,陕西 西安 710021) |
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| 摘 要： | 为了进一步平衡OLED器件内部空穴和电子载流子 的注入,制备了结构为ITO/NPB(40nm)/Alq3(45nm)/Bphen:(X%)BCP:(5%)Cs2CO3(15nm)/Cs2CO3(1.5 nm)/Al(100nm)的OLED器件,通过改变BCP 的掺杂浓度,研究了以Bphen:BCP:Cs2CO3作为电子传输层对OLED器件发光亮度、电流 密度和效率等性能 的影响。结果表明,采用Bphen:BCP:Cs2CO3作为电子传输层能提高器件的电子注入能力 ,改善器件的性能, 相比于未引入BCP的器件,采用BCP掺杂浓度为10%的Bphen:BCP:Cs2CO3作为电子传输层 ,可以使器件 的最大电流效率提高46%,达到3.89cd/A,且 在电压从为5V上升至10V的过程中,器件的色坐标一直为 (0.35,0.55),具有很高的稳定性。原因是由于BCP的高LUMO能级和高 HOMO能级,能够有 效阻挡空穴到达阴极,减小空穴漏电流,同时使电子的注入更容易,电子和空穴的注入更加 平衡,发光也更加稳定。
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| 关 键 词： | 电子传输层 Bphen BCP Cs2CO3 有机电致发光器件 |
| 收稿时间： | 2016/3/3 0:00:00 |
Impact of Bphen:BCP:Cs2CO3as electron transport layer on the performance of OLEDs |
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| DU Shuai and ZHANG Fang-hui.Impact of Bphen:BCP:Cs2CO3as electron transport layer on the performance of OLEDs[J].Journal of Optoelectronics·laser,2017,28(1):19-24. |
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| Authors: | DU Shuai and ZHANG Fang-hui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electron transport layer Bphen BCP Cs2CO3 OLED |
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