| 0.18μm CMOS X波段接收机射频前端设计 |
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| 引用本文： | 龙强,庄奕琪,阴玥,李振荣.0.18μm CMOS X波段接收机射频前端设计[J].电路与系统学报,2013,18(2):217-222. |
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| 作者姓名： | 龙强 庄奕琪 阴玥 李振荣 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,陕西西安710071 |
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| 摘 要： | 本文给出了一个采用TSMC 0.18 m CMOS工艺应用于X波段SAR(合成孔径雷达)的单片接收机射频前端的设计。接收机前端由低噪声放大器和混频器组成,低噪声放大器工作在9 GHz~11GHz,混频器将10GHz的射频信号转换到2GHz中频,本振信号由片外提供。在X波段频率下,尽管CMOS 0.18μm工艺特征频率比较低,工作仍然实现了低噪声系数,提高了集成度。测试结果表明,本设计在300MHz的带宽上实现了20dB的转换增益,噪声系数达到2.7Db,输入1dB压缩点达到-19.2dBm,在1.8V的电源电压下前端消耗26.6mA电流,芯片面积为1.3×0.97mm2。
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| 关 键 词： | X波段 低噪声放大器 混频器 合成孔径雷达 噪声系数 转换增益 |
Design of a 0.18μm CMOS RF Front-end for X-band Receiver |
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| LONG Qiang
,
ZHUANG Yi-qi
,
YIN Yue
,
LI Zhen-rong.Design of a 0.18μm CMOS RF Front-end for X-band Receiver[J].Journal of Circuits and Systems,2013,18(2):217-222. |
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| Authors: | LONG Qiang ZHUANG Yi-qi YIN Yue LI Zhen-rong |
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| Affiliation: | (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices,School of Microelectronics,Xidian Univ.,Xi’an 710071,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | X-band LNA Mixer SAR NF Conversion gain |
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