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光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究
引用本文:沙亚男,李树荣,郭维廉,郑云光,毛陆虹,张培宁.光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究[J].微电子学,2000,30(1):11-13,16.
作者姓名:沙亚男  李树荣  郭维廉  郑云光  毛陆虹  张培宁
作者单位:天津大学,电子信息工程学院,天津,300072
基金项目:光电子集成联合实验室,中科院半导体所实验区开放课题资助项目,天津市自然科学基金资助项目! ( 983 60 14 11)
摘    要:光电双基区晶体管(PDUBAT)是一种能产生“N”型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现PDUBAT在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振由减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。

关 键 词:双基区晶体管  光电负阻器件  光控脉冲振荡器

Experimental Investigations into PDUBAT Light Controlled Pulse Oscillators
SHA Ya-nan,LI Shu-rong,GUO Wei-lian,ZHENG Yun-guang,MAO Lu-hong,ZHANG Pei-ning.Experimental Investigations into PDUBAT Light Controlled Pulse Oscillators[J].Microelectronics,2000,30(1):11-13,16.
Authors:SHA Ya-nan  LI Shu-rong  GUO Wei-lian  ZHENG Yun-guang  MAO Lu-hong  ZHANG Pei-ning
Abstract:
Keywords:Photoelectronic  dual  base  transistor  Photoelectronic  negative  resistance  device  Light  controlled  pulse  oscillator
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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