| InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器背面减薄技术研究 |
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| 引用本文： | 程雨,鲍英豪,肖钰,李春领,亢喆,刘铭.InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器背面减薄技术研究[J].红外,2020,41(8):15-20. |
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| 作者姓名： | 程雨 鲍英豪 肖钰 李春领 亢喆 刘铭 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京100015;华北光电技术研究所,北京100015;华北光电技术研究所,北京100015;华北光电技术研究所,北京100015;华北光电技术研究所,北京100015;华北光电技术研究所,北京100015 |
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| 摘 要： | 在长波红外波段，InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料具有比碲镉汞材料更优越的性能，因此得到了广泛研究。对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器芯片的背面减薄技术开展了一系列试验。针对<100>GaSb单晶片进行了单点金刚石机床精密加工、机械化学抛光和化学抛光方法研究，并去除了加工损伤。InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外器件的流片结果表明，长波探测器组件获得了较好的红外成像图片，提高了InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器芯片的研制水平。
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| 关 键 词： | InAs/GaSb 单点金刚石机床切削 表面形貌 机械化学抛光 长波红外探测器 |
| 收稿时间： | 2020/6/27 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2020/7/5 0:00:00 |
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