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10Gb/s 0.18μm CMOS光发射机芯片
引用本文:雷恺,缪瑜,冯军,王志功.10Gb/s 0.18μm CMOS光发射机芯片[J].半导体光电,2005,26(4):350-352.
作者姓名:雷恺  缪瑜  冯军  王志功
作者单位:东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的10Gb/s光发射机电路,包括复接器和激光驱动器两部分.仿真结果表明,在1.8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb/s速率以上,输入四路单端峰峰值为0.2V的信号时,在单端50Ω负载上的复接输出电压摆幅可达到1.4V以上,电路功耗约为230mW.芯片面积为1.77mm×0.94mm.

关 键 词:激光驱动器  复接器  锁存器  CMOS  直接耦合  SOC  CMOS  光发射机  芯片面积  电路功耗  输出电压摆幅  负载  信号  峰峰值  单端  输入  速率  工作  作用  电源电压  仿真结果  激光驱动器  复接器  发射机电路  工艺设计
文章编号:1001-5868(2005)04-0350-03
修稿时间:2004年12月28日

10 Gb/s 0. 18 μm CMOS Transceiver IC
LEI Kai,MIAO Yu,FENG Jun,WANG Zhi-gong.10 Gb/s 0. 18 μm CMOS Transceiver IC[J].Semiconductor Optoelectronics,2005,26(4):350-352.
Authors:LEI Kai  MIAO Yu  FENG Jun  WANG Zhi-gong
Abstract:
Keywords:laser diode driver  MUX(multiplexer)  latch  CMOS  direct-coupling  SOC
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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