| 不同状态的Si-Al丝对键合点根部损伤的影响 |
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| 引用本文： | 李自学,王凤生,张承军.不同状态的Si-Al丝对键合点根部损伤的影响[J].电子元件与材料,2001,20(6):1-2,5. |
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| 作者姓名： | 李自学 王凤生 张承军 |
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| 作者单位： | 航天工业总公司七七一所, |
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| 摘 要： | 键合点根部损伤是Al丝超声键合工艺中最常见的问题,严重的根部损伤不仅使焊点的键合强度降低,甚至会使键合点失效。通过优化键合机器的工艺参数、分析键合丝的组分和采取不同的退火条件,研究Al丝超声键合中,键合点根部损伤的程度,为键合丝的选用和提高Al丝超声键合强度提供依据。
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| 关 键 词： | 薄膜混合集成电路 超声键合 根部损伤 |
| 文章编号： | 1001-2028(2001)06-0002-02 |
Effect of Different Si-Al Wires on Bond Heel Cracks |
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| LI Zi-xue,WANG Feng-sheng,ZHANG Cheng-jun.Effect of Different Si-Al Wires on Bond Heel Cracks[J].Electronic Components & Materials,2001,20(6):1-2,5. |
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| Authors: | LI Zi-xue WANG Feng-sheng ZHANG Cheng-jun |
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| Abstract: | Bond heel cracks are one of the most common problems in Al wire ultrasonic bonding process. Bad bond heel cracks impair bond strength, even lead to the failure in bond. Bond heel cracks are investigated by optimizing process parameters of bonder, analyzing composition of bonding wire and taking different annealing conditions. The results are helpful for further improving the bond strength and choosing bond wire. |
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| Keywords: | thin film hybrid ICs ultrasonic bonding heel crack |
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