| 一个950MHz CMOS低噪声放大器的设计 |
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| 引用本文： | 张振勇,胡伟,赵勇,杨莲兴.一个950MHz CMOS低噪声放大器的设计[J].半导体技术,2002,27(5):36-39. |
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| 作者姓名： | 张振勇 胡伟 赵勇 杨莲兴 |
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| 作者单位： | 复旦大学ASIC国家重点实验室,上海,200433 |
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| 摘 要： | 介绍了一个采用0.18μm 1.8V RF CMOS工艺,适合GSM接收器,中心频率为950MHz的低噪声放大器(LNA)的设计过程,并给出了spectreRF的模拟结果.在935～960MHz频带内,LNA功率增益大于16dB,阻抗匹配系数S11小于-18dB,噪声系数(NF)小于2.7dB,IIP3为-3.06dBm,ldB压缩点为-10.955dBm,功耗小于20mW.
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 噪声系数 功率增益 阻抗匹配 |
| 文章编号： | 1003-353X(2002)05-0036-04 |
A 950MHz CMOS LNA design |
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| ZHANG Zhen-yong,HU Wei,ZHAO Yong,YANG Lian-xing.A 950MHz CMOS LNA design[J].Semiconductor Technology,2002,27(5):36-39. |
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| Authors: | ZHANG Zhen-yong HU Wei ZHAO Yong YANG Lian-xing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LNA NF powergain impedence match |
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