| 超宽带SiC MESFET器件的研制 |
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| 引用本文： | 崔玉兴,默江辉,李亮,李佳,付兴昌,蔡树军,杨克武.超宽带SiC MESFET器件的研制[J].半导体技术,2012(8):608-611. |
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| 作者姓名： | 崔玉兴 默江辉 李亮 李佳 付兴昌 蔡树军 杨克武 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所;专用集成电路重点实验室 |
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| 摘 要： | 采用中国电子科技集团公司第十三研究所自主外延材料及标准工艺平台制作了SiC MESFET芯片,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,制作了超宽带SiC MESFET器件。优化了管壳内匹配形式,采用内匹配技术提高了器件输入阻抗及输出阻抗,采用外电路匹配的方法对器件阻抗进行了进一步提升。通过对输出匹配电路的优化实现了超宽带功率输出。优化了外电路偏置电路,消除了栅压调制效应,提高了电路稳定性。栅宽5 mm器件,脉宽为100μs、占空比为10%脉冲工作,工作电压VDS为48 V,在0.8～2.0 GHz频带内脉冲输出功率为15.2 W(41.83 dBm),功率密度达到3.04 W/mm,功率增益为8.8 dB,效率为35.8%,最终实现了超宽带大功率器件的制作。
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| 关 键 词： | SiC MESFET 内匹配 超宽带 外电路匹配 |
Research and Manufacturing of Super Wide Band SiC MESFET |
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| Cui Yuxing,Mo Jianghui,Li Liang,Li Jia,Fu Xingchang,Cai Shujun,Yang Kewu.Research and Manufacturing of Super Wide Band SiC MESFET[J].Semiconductor Technology,2012(8):608-611. |
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| Authors: | Cui Yuxing Mo Jianghui Li Liang Li Jia Fu Xingchang Cai Shujun Yang Kewu |
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| Affiliation: | 1(1.The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China; 2.Science and Technology on ASIC Laboratory,Shijiazhuang 050051,China) |
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| Abstract: | |
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