| 电子束蒸发沉积ZAO薄膜正交试验 |
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| 引用本文： | 郭爱云,薛亦渝,夏志林,朱选敏,葛春桥.电子束蒸发沉积ZAO薄膜正交试验[J].半导体技术,2005,30(7):56-59. |
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| 作者姓名： | 郭爱云 薛亦渝 夏志林 朱选敏 葛春桥 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学,材料科学与工程学院,武汉,430070 |
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| 摘 要： | 采用电子束真空蒸发沉积薄膜的方法(EBED)制备了ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜.用正交试验法设计试验,并分析了制备ZAO薄膜的主要影响因素(沉积厚度、沉积速率、基片温度)对薄膜性能(透射率、电阻率)的作用.试验结果表明:采用EBED法沉积制备ZAO薄膜时,沉积速率控制为1nm/s、沉积厚度为800nm、基片温度为2 50℃,镀膜系统工作稳定,沉积薄膜的性能较好.
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| 关 键 词： | ZAO薄膜 电子束蒸发沉积 正交试验 电子束真空蒸发 蒸发沉积 薄膜性能 正交试验法 Orthogonal Experiment Thin Films Evaporation Beam 稳定 系统工作 镀膜 速率控制 结果 作用 电阻率 透射率 基片温度 沉积速率 沉积厚度 影响因素 |
| 文章编号： | 1003-353X(2005)07-0056-04 |
| 修稿时间： | 2004年11月1日 |
Electron Beam Evaporation Deposited ZAO Thin Films by Orthogonal Experiment |
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| GUO Ai-yun,XUE Yi-yu,XIA Zhi-lin,ZHU Xuan-min,GE Chun-qiao.Electron Beam Evaporation Deposited ZAO Thin Films by Orthogonal Experiment[J].Semiconductor Technology,2005,30(7):56-59. |
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| Authors: | GUO Ai-yun XUE Yi-yu XIA Zhi-lin ZHU Xuan-min GE Chun-qiao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZAO thin film EBED (or EBD) orthogonal experiment |
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